[发明专利]半导体器件中失效点的定位方法有效
| 申请号： | 202011344517.4 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420542B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 苏凤梅 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失效 定位 方法 | ||
1.一种半导体器件中失效点的定位方法，其特征在于，所述方法包括：
确定半导体器件中发生桥接的两个膜层，所述两个膜层的材料相同；
在第一膜层的起始端与第二膜层之间加第一电压，在所述第一膜层的末端与所述第二膜层之间加第二电压；
获取所述第一膜层的起始端与第二膜层之间的电流，记为第一电流，以及，获取所述第一膜层的末端与第二膜层之间的电流，记为第二电流；
根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定所述第一膜层中失效点的位置。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定所述第一膜层中的失效点的位置，包括：
记第一膜层的长度为L，第一膜层的薄膜电阻率为Rs，第一电压为U1，第一电流为I1，第二电压为U2，第二电流为I2，第一膜层的起始端为a端，第一膜层的末端为c端，第一膜层中失效点的位置为b，第二膜层为d端；
根据如下公式计算出失效点在所述第一膜层中的位置：
Lab+Lbc＝L；
Rs*Lab+Rbd＝U1/I1；
Rs*Lbc+Rbd＝U2/I2；
Rbd表示所述两个膜层桥接后，所述第一膜层与所述第二膜层之间的等效电阻；
Lab表示a端和b端之间的长度，Lbc表示b端和c端之间的长度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于Nor flash中。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层为字线多晶硅层，所述第二膜层为衬底。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，发生桥接的两个膜层为多晶硅层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，发生桥接的两个膜层为金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
