[发明专利]半导体器件中失效点的定位方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件中失效点的定位方法，涉及半导体制造领域。该半导体器件中失效点的定位方法包括确定半导体器件中发生桥接的两个膜层，两个膜层的材料相同；在第一膜层的起始端与第二膜层之间加第一电压，在第一膜层的末端与第二膜层之间加第二电压；获取第一膜层的起始端与第二膜层之间的电流，记为第一电流，以及，获取第一膜层的末端与第二膜层之间的电流，记为第二电流；根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定第一膜层中失效点的位置；解决了目前失效分析中不能通过FIB机台做VC方法定位出失效点的问题；达到了简便有效地定位失效点的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件中失效点的定位方法。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，失效分析是改善、提升半导体器件质量的重要过程。失效分析包括外部检查、非破坏性分析、电性能检测、破坏性分析等。

在Nor flash的电学性能检测中，会进行探针测试的压力(stress)试验，比如，在Nor flash的字线上加一个电压，在源极和衬底上再加另一个电压，来测试器件的压力性能。如图1所示，在Nor flash的结构中，同一行的n个bit由一个字线WL控制，同一列的bit由一个位线BL控制。如果在试验中有任何一个bit出现击穿，就会形成字线WL到源极S或衬底SUB的桥接，如图2所示，这时就需要确定Nor flash中的失效点。

然而，在失效分析中，有时会出现FIB(Foucs ion beam，聚焦离子束)机台做VC(Voltage Contrast，电压对比测试)无法定位到失效点的情况。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种半导体器件中失效点的定位方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件中失效点的定位方法，该方法包括：

确定半导体器件中发生桥接的两个膜层，两个膜层的材料相同；

在第一膜层的起始端与第二膜层之间加第一电压，在第一膜层的末端与第二膜层之间加第二电压；

获取第一膜层的起始端与第二膜层之间的电流，记为第一电流，以及，获取第一膜层的末端与第二膜层之间的电流，记为第二电流；

根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定第一膜层中失效点的位置。

可选的，根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定第一膜层中的失效点的位置，包括：

记第一膜层的长度为L，第一膜层的薄膜电阻率为Rs，第一电压为U1，第一电流为I1，第二电压为U2，第二电流为I2，第一膜层的起始端为a端，第一膜层的末端为c端，第一膜层中失效点的位置为b，第二膜层为d端；

根据如下公式计算出失效点在第一膜层中的位置：

Lab+Lbc＝L；

Rs*Lab+Rbd＝U1/I1；

Rs*Lbc+Rbd＝U2/I2；

Rbd表示两个膜层桥接后，第一膜层与第二膜层之间的等效电阻；

Lab表示a端和b端之间的长度，Lbc表示b端和c端之间的长度。

可选的，该方法应用于Nor flash中。

可选的，第一膜层为字线多晶硅层，第二膜层为衬底。

可选的，发生桥接的两个膜层为多晶硅层。

可选的，发生桥接的两个膜层为金属层。

本申请技术方案，至少包括如下优点：