[发明专利]晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法

权利要求书

1.一种晶圆承托装置，其特征在于，包括：

晶圆托架，所述晶圆托架包括用于承托并加热晶圆的加热托盘；

多个升降机构，每个升降机构相对于所述加热托盘可升降的设置，针对每个升降机构对应设置有单独的驱动电机和单独的位置传感器；

控制器，所述控制器的信号输出端与每个驱动电机的控制信号输入端连接，所述控制器的信号输入端与每个位置传感器连接，所述控制器根据每个位置传感器的传感数据分别控制对应的驱动电机，以驱动与所述驱动电机对应的升降机构进行升降。

2.如权利要求1所述的晶圆承托装置，其特征在于，所述多个升降机构中每个升降机构，包括：

升降顶针，所述升降顶针的一端穿过所述加热托盘并延伸至所述加热托盘上表面；

升降支撑盘，与所述升降顶针的另一端连接，其中，所述升降机构对应设置的驱动电机与所述升降支撑盘连接。

3.如权利要求2所述的晶圆承托装置，其特征在于，所述驱动电机包括：

升降气缸和连接杆，所述升降气缸与所述连接杆的一端连接，所述连接杆的另一端与所述升降支撑盘连接。

4.如权利要求2所述的晶圆承托装置，其特征在于，所述升降顶针包括：

升降杆，所述升降杆的上端穿过所述加热托盘上的开孔，所述升降杆的下端与所述升降支撑盘；

支撑块，所述支撑块设置于所述加热托盘的上方，且与所述升降杆的上端连接。

5.如权利要求1所述的晶圆承托装置，其特征在于，所述晶圆托架还包括：

与所述加热托盘连接的旋转驱动装置，所述加热托盘支撑于所述旋转驱动装置；

旋转传感器，针对所述晶圆托架设置。

6.如权利要求1所述的晶圆承托装置，其特征在于，所述多个升降机构的数量为3个或者4个。

7.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔体以及如权利要求1-6中任一所述的晶圆承托装置，所述晶圆承托装置设置于所述腔体内。

8.一种在权利要求7所述的半导体工艺腔室进行的晶圆处理方法，其特征在于，包括：

通过所述控制器控制每个所述驱动电机以第一方向运行，以使每个所述驱动电机驱动对应的升降机构上行至预设高位时停止；

在所述预设高位处接过所述待处理晶圆之后，通过所述控制器控制每个驱动电机以第二方向运行，使得所述驱动电机驱动对应的升降机构下行，直至所述待处理晶圆与所述加热托盘上表面接触；

判断所述待处理晶圆与所述加热托盘上表面的接触是否准确；

如果是，则对所述待处理晶圆进行目标加工处理；否则，所述控制器单独控制至少一个驱动电机，以使所述至少一个驱动电机驱动对应的升降机构进行升降，直至所述待处理晶圆与所述加热托盘上表面准确接触。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述控制器单独控制至少一个驱动电机，以使所述至少一个驱动电机驱动对应的升降机构进行升降，直至所述待处理晶圆与所述加热托盘上表面准确接触，包括：

所述控制器获取每个所述升降机构对应的位置传感器的传感数据，并根据所述传感数据确认所述待处理晶圆是否处于倾斜状态；

如果是，所述控制器根据所述传感数据，控制所述至少一个驱动电机的启停，以调节所述至少一个驱动电机对应的每个升降机构相对于所述加热托盘的高度，直至所述多个升降机构处于相同高度时，表征所述待处理晶圆处于水平状态；

根据高度调节结果对所述预设高位进行重新设定，并将所述待处理晶圆落位在所述加热托盘上。