[发明专利]晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法在审
申请号: | 202011344657.1 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN114551326A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 徐范植;高建峰;丁云凌;刘卫兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承托 装置 半导体 工艺 处理 方法 | ||
本发明公开一种晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法,应用于半导体领域,包括:晶圆托架,所述晶圆托架包括用于承托并加热晶圆的加热托盘;多个升降机构,每个升降机构相对于加热托盘可升降的设置,针对每个升降机构对应设置有单独的驱动电机和单独的位置传感器;控制器,控制器的信号输出端与每个驱动电机的控制信号输入端连接,控制器的信号输入端与每个位置传感器连接,控制器根据每个位置传感器的传感数据分别控制对应的驱动电机,以驱动与驱动电机对应的升降机构进行升降。本发明再不需要进行手工调节,缩短了操作时间,且调节更加准确。
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法。
背景技术
随着信息媒体使用量的增加,对半导体存储器件的需求也在大幅增加。需要生产产品的设备稳定运行,需要生产质量好的产品。正因为如此,在工艺腔室内的加热托盘上放置晶圆至正确位置是至关重要的。因此将晶圆放在加热托盘的准确位置才能保证工艺效果,如果晶圆在加热托盘上是倾斜,则加热托盘和晶圆之间就不能紧密接触,产生的温度差异和高度差异会导致质量不良。
现在必须打开腔体,并手动调节高度升降机构的高度,来达到晶圆处于水平以与加热托盘紧密接触,但是,手动调节存在准确性不足和耗时的问题。
发明内容
鉴于现有技术存在上述问题,本发明实施例提供了一种晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法。
第一方面,本发明实施例提供一种晶圆承托装置,包括:
晶圆托架,所述晶圆托架包括用于承托并加热晶圆的加热托盘;
多个升降机构,每个升降机构相对于所述加热托盘可升降的设置,针对每个升降机构对应设置有单独的驱动电机和单独的位置传感器;
控制器,所述控制器的信号输出端与每个驱动电机的控制信号输入端连接,所述控制器的信号输入端与每个位置传感器连接,所述控制器根据每个位置传感器的传感数据分别控制对应的驱动电机,以驱动与所述驱动电机对应的升降机构进行升降。
可选地,所述多个升降机构中每个升降机构,包括:
升降顶针,所述升降顶针的一端穿过所述加热托盘并延伸至所述加热托盘上表面;
升降支撑盘,与所述升降顶针的另一端连接,其中,所述升降机构对应设置的驱动电机与所述升降支撑盘连接。
可选地,所述驱动电机包括:
升降气缸和连接杆,所述升降气缸与所述连接杆的一端连接,所述连接杆的另一端与所述升降支撑盘连接。
可选地,所述升降顶针包括:
升降杆,所述升降杆的上端穿过所述加热托盘上的开孔,所述升降杆的下端与所述升降支撑盘;
支撑块,所述支撑块设置于所述加热托盘的上方,且与所述升降杆的上端连接。
可选地,所述晶圆托架还包括:
与所述加热托盘连接的旋转驱动装置,所述加热托盘支撑于所述旋转驱动装置;
旋转传感器,针对所述晶圆托架设置。
可选地,所述多个升降机构的数量3个或者4个。
第二方面,本发明实施例提供一种半导体工艺腔室,包括:腔体以及第一方面任一所述的晶圆承托装置,所述晶圆承托装置设置于所述腔体内。
第三方面,本发明实施例提供一种在第二方面所述的半导体工艺腔室进行的晶圆处理方法,包括:
通过所述控制器控制每个所述驱动电机以第一方向运行,以使每个所述驱动电机驱动对应的升降机构上行至预设高位时停止;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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