[发明专利]半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种应用于半导体工艺的抽真空装置，其特征在于，包括真空泵本体和加热装置，其中，所述加热装置包括：

外部电源，设置于所述真空泵本体外；

充电板，设置于所述真空泵本体内，通过所述外部电源对所述充电板进行充电；

发热结构，设置于所述真空泵本体内，且所述发热结构与所述充电板连接，通过所述充电板提供使所述发热结构发热的电源输入。

2.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，还包括：

温度控制器，设置于所述真空泵本体内，用于控制所述发热结构的发热温度。

3.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，所述温度控制器用于控制所述发热结构的发热温度在80～250℃范围内。

4.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，所述充电板具体为：与所述外部电源之间无线连接的无线充电板。

5.如权利要求1所述的抽真空装置，其特征在于，所述发热结构设置于所述真空泵本体的电机转子上。

6.如权利要求5所述的抽真空装置，其特征在于，所述发热结构具体为：

发热线圈，所述发热线圈环绕在所述电机转子上，或者

发热片或者发热丝，沿着所述电机转子的长度方向延伸。

7.一种半导体工艺设备，包括：主体设备以及如权利要求1-6中任一所述的抽真空装置；

其中，所述主体设备包括工艺腔，所述抽真空装置用于对所述工艺腔内抽真空，以形成所述工艺腔内的恒定真空度。

8.一种基于权利要求7所述半导体工艺设备进行的半导体加工方法，其特征在于，包括：

在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空；并在所述真空泵本体进行抽真空过程中，同步通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热。

9.如权利要求8所述的半导体加工方法，其特征在于，所述在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空，包括：

在所述工艺腔内对所述晶圆进行沉积处理或者刻蚀处理时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空。

10.如权利要求8或9所述的半导体加工工艺，其特征在于，通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热，包括：

通过所述加热装置将所述真空泵本体的电机转子加热至80～250℃。