[发明专利]半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备

说明书

本发明公开了一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备，应用于半导体领域，包括：真空泵本体和加热装置，加热装置包括：外部电源，设置于真空泵本体外；充电板，设置于真空泵本体内，通过外部电源对充电板进行充电；发热结构，设置于真空泵本体的电机转子上，且发热结构与充电板连接，充电板用于提供使发热结构发热的电源输入。通过本发明抑制了副产物在泵内沉积。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备。

背景技术

近来随着信息媒介的使用增加，对半导体存储器元件的需求也大幅增加。生产半导体产品的设备运行平稳、对优质产品的批量生产等提出了要求。为了保证产品质量,进行半导体工艺的工艺腔应保持一定压力。

为了使半导体工艺设备的工艺腔中压力保持恒定，就需要保持泵产生真空的能力稳定。然而，工艺腔中进行反应会产生的副产物会沉积在泵内，会降低了真空泵的性能。在这种情况会导致工艺腔压力变得不稳定，进而导致薄膜质量差。

发明内容

鉴于现有技术上述问题，本发明实施例提供了一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备。

第一方面，本发明实施例提供一种应用于半导体工艺的抽真空装置，包括真空泵本体和加热装置，其中，所述加热装置包括：

外部电源，设置于所述真空泵本体外；

充电板，设置于所述真空泵本体内，通过所述外部电源对所述充电板进行充电；

发热结构，设置于所述真空泵本体内，且所述发热结构与所述充电板连接，通过所述充电板提供使所述发热结构发热的电源输入。

可选地，所述装置还包括：

温度控制器，设置于所述真空泵本体内，用于控制所述发热结构的发热温度。

可选地，所述温度控制器用于控制所述发热结构的发热温度在80～250℃范围内。

可选地，所述充电板具体为：与所述外部电源之间无线连接的无线充电板。

可选地，所述发热结构设置于所述真空泵本体的电机转子上。

可选地，所述发热结构具体为：发热线圈，所述发热线圈环绕在所述电机转子上，或者

所述发热结构具体为：发热片或者发热丝，沿着所述电机转子的长度方向延伸。

第二方面，本发明实施例提供一种半导体工艺设备，包括：主体设备以及如第一方面任一实现方式所述的抽真空装置；

其中，所述主体设备包括工艺腔，所述抽真空装置用于对所述工艺腔内抽真空，以形成所述工艺腔内的恒定真空度。

第三方面，本发明实施例提供一种基于第二方面所述半导体工艺设备进行的半导体加工方法，包括：

在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空；并在所述真空泵本体进行抽真空过程中，同步通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热。

可选地，所述在主体设备的工艺腔内对晶圆进行目标加工工艺时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空，包括：

在所述工艺腔内对所述晶圆进行沉积处理或者刻蚀处理时，通过所述真空泵本体对所述工艺腔内进行抽真空。

可选地，通过所述加热装置对所述真空泵本体的电机转子进行加热，包括：

通过所述加热装置将所述真空泵本体的电机转子加热至80～250℃。

本发明实施例提供的一个或多个技术方案，至少实现了如下技术效果或者优点：