[发明专利]一种原子层沉积技术生长Nbx 有效
| 申请号： | 202011347943.3 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112458432B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 丁玉强;何冬梅;杜立永 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 技术 生长 nb base sub | ||
1.一种原子层沉积技术生长NbxC薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤:
(1)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源进行沉积，得到沉积有Nb源的衬底，所述Nb源为乙氧醇铌，结构式如式1所示：
(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；
(3)将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Nb源进行单原子反应，得到含单原子层NbxC薄膜的衬底；
(4)向体系中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；
重复步骤(1)-(4)若干次数，即可得到生长有NbxC薄膜的衬底；
其中，步骤(3)中所述碳源包括葡萄糖、果糖、呋喃糠醛中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中以脉冲形式向反应腔中通入气相Nb源的单个脉冲的持续时间为0.5～20s。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中所述步骤(1)中的沉积温度为200～400℃。
4.根据权利要求1～3任一所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中吹扫时间为1～100s。
5.根据权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，将碳源以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为0.1～20s。
6.根据权利要求1～5任一所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述吹扫时间为1～100s。
7.根据权利要求1～5任一所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN中的一种或几种。
8.根据权利要求1～7任一所述的方法制备得到的生长有NbxC薄膜的衬底。
9.权利要求8所述的生长有NbxC薄膜的衬底在粉末冶金、电子工业或太阳能电池领域的应用。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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