[发明专利]存储装置重读表的生成方法、测试装置以及存储介质

权利要求书

1.一种存储装置重读表的生成方法，其特征在于，所述方法包括：

获取对应一条字线的多个初始读参考电压；其中，所述存储装置的每一字线连接多个存储单元，每一所述存储单元包括至少一页，每一页包括至少一个所述初始读参考电压；

根据每一所述初始读参考电压，确定多个偏移参考电压；

分别施加每个所述偏移参考电压至所述字线，以读取所述多个存储单元中，所述初始读参考电压对应的页的数据，最终得到所述初始读参考电压对应的页的多个数据；其中，若所述初始读参考电压对应的页，包括至少两个所述初始读参考电压，则在确定当前所述初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它初始参考电压所对应的所述读参考电压，对所述页进行读取；

分别将读取的所述初始读参考电压对应的页的多个数据与基于其它所述初始参考电压所对应的所述读参考电压，对所述页进行读取的数据进行比较，以得到每个所述偏移参考电压对应的错码位数；

确定多个所述错码位数中的极小值或最小值对应的偏移参考电压，为多个所述初始读参考电压对应的读参考电压；

将所述读参考电压与每一所述初始读参考电压的差值，记录至所述重读表。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在确定当前所述初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它所述初始参考电压所对应的所述读参考电压，对所述页进行读取包括：

基于所述偏移参考电压、所述其它所述初始参考电压所对应的所述读参考电压所组成的坐标区间，确定所述页的数据状态。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若所述初始读参考电压对应的页，包括至少两个所述初始读参考电压，则在确定当前所述初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它所述初始参考电压所对应的所述读参考电压，对所述页进行读取包括：

若所述其它所述初始参考电压没有对应的所述读参考电压，则将所述其它所述初始参考电压，作为所述其它所述初始参考电压对应的所述读参考电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述每一页包括的至少一个所述初始读参考电压，为所述每一页的数据状态在电压无偏移情况下，对应的理想读参考电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述根据每一所述初始读参考电压，确定多个偏移参考电压，包括：

将所述初始读参考电压在预设偏移区间内进行多次偏移，得到多个所述偏移参考电压。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，

所述存储装置为NAND FLASH存储器。

7.一种存储器测试装置，其特征在于，所述存储器测试装置连接存储装置，用于对所述存储装置进行测试，所述存储器测试装置包括存储器和处理器，所述存储器用于存储程序数据，所述处理器用于执行所述程序数据以实现如权利要求1-6任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述方法的步骤。