[发明专利]存储装置重读表的生成方法、测试装置以及存储介质

说明书

本申请公开了一种存储装置重读表的生成方法、存储器测试装置以及存储介质。该方法包括：提供一种存储装置重读表的生成方法，该方法包括：获取对应一条字线的多个初始读参考电压；其中，存储装置的每一字线连接多个存储单元，每一存储单元包括至少一页，每一页包括至少一个初始读参考电压；确定初始读参考电压对应的读参考电压；将读参考电压与每一初始读参考电压的差值，记录至重读表。本申请方案既能够方便快捷地获取存储装置的重读表，又能够提高获取的重读表内重读值的准确性。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，具体涉及一种存储装置重读表的生成方法、存储器测试装置以及存储介质。

背景技术

与传统的硬盘设备相比，闪存(FLASH memory)具有快速读/写性能和低功耗等特性。闪存是一种常用的数据存储设备。闪存可以依据控制器所发出的读取命令的读取电压参数来设定读取电压。闪存还可以依据读取命令的地址来读取数据电压。闪存依照读取电压将该数据电压转换为对应数据给控制器。为了降低成本，闪存技术发展至越来越小的几何形状和越来越高的密度(每一个单元有更多位)，使得读取错误成为闪存可靠性的一个主要的问题。因为数据保持特性(Data Retention)、读取干扰(read disturb)或编程干扰(program disturb)等因素会引起单元所输出的数据电压偏移至较低(或较高)的电压，而经偏移的数据电压可能会造成数据读取错误。如果读取电压未处于适当的水平，则可能在经读取/转换后的对应数据中造成更多的错误位。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种存储装置重读表的生成方法、一种存储器测试装置以及计算机可读存储介质，能够方便快捷地获取存储装置重读表，且能够提高获取的重读表内重读值的准确度。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种存储装置重读表的生成方法，该方法包括：获取对应一条字线的多个初始读参考电压。其中，存储装置的每一字线连接多个存储单元，每一存储单元包括至少一页，每一页包括至少一个初始读参考电压。根据每一初始读参考电压，确定多个偏移参考电压。分别施加每个偏移参考电压至字线，得到每个偏移参考电压对应的错码位数。确定多个错码位数中的极小值或最小值对应的偏移参考电压，为多个初始读参考电压对应的读参考电压。将读参考电压与每一初始读参考电压的差值，记录至重读表。

进一步地，分别施加每个偏移参考电压至字线，得到每个偏移参考电压对应的错码位数包括：分别施加每个偏移参考电压至字线，以读取多个存储单元中，初始读参考电压对应的页的数据，最终得到初始读参考电压对应的页的多个数据。分别将初始读参考电压对应的页的多个数据与初始读参考电压对应的页的原始数据进行比较，以得到每个偏移参考电压对应的错码位数。

进一步地，分别施加每个偏移参考电压至字线，以读取多个存储单元中，初始读参考电压对应的页的数据，最终得到初始读参考电压对应的页的多个数据包括：若初始读参考电压对应的页，包括至少两个初始读参考电压，则在确定当前初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它初始参考电压所对应的读参考电压，对页进行读取。

进一步地，在确定当前初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它初始参考电压所对应的读参考电压，对页进行读取包括：基于偏移参考电压、其它初始参考电压所对应的读参考电压所组成的坐标区间，确定页的数据状态。

进一步地，若初始读参考电压对应的页，包括至少两个初始读参考电压，则在确定当前初始读参考电压所对应的读参考电压时，基于其它初始参考电压所对应的读参考电压，对页进行读取包括：若其它初始参考电压没有对应的读参考电压，则将其它初始参考电压，作为其它初始参考电压对应的读参考电压。

进一步地，每一页包括的每一页包括的至少一个初始读参考电压，为每一页的数据状态在电压无偏移情况下，对应的理想读参考电压。

进一步地，根据每一初始读参考电压，确定多个偏移参考电压，包括：将初始读参考电压在预设偏移区间内进行多次偏移，得到多个偏移参考电压。