[发明专利]真空机械手

说明书

本申请实施例公开了一种真空机械手，涉及半导体工艺设备领域。该真空机械手用于半导体工艺设备转运待加工工件使用，包括吸附构件和第一检测构件，所述吸附构件为透明材质；所述吸附构件的一侧为用于承载所述待加工工件的承载面，所述承载面上具有基准区域，所述基准区域为符合所述待加工工件定位位置要求的区域；所述第一检测构件设置于所述吸附构件背离所述承载面的一侧，且所述第一检测构件在所述承载面上的投影位于所述基准区域内；所述第一检测构件用于对所述基准区域上是否具有所述待加工工件进行检测。本申请至少用以解决常规真空手指无法准确地判断是否吸到晶圆的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，尤其涉及一种真空机械手。

背景技术

化学气相沉积(英文：Chemical Vapor Deposition，简称CVD)CVD是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术，典型的CVD制程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在一定工艺温度下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会会随着气流被带着，而不会留在反应腔中。

根据不同的分类方法，CVD可被分成很多种，比如，以反应时的压力分类，CVD包括低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)和超高真空CVD(UHVCVD)；以电浆技术分类，CVD包括微波电浆辅助化学气相沉积(MPCVD)和等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)；此外，CVD还包括原子层化学气相沉积(ALCVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)、有机金属化学气相沉积(MOCVD)、快速热化学气相沉积等(RTCVD)、气相磊晶(VPE)等。

对于任何一种CVD产品，wafer(晶圆)的传输技术都是十分关键的技术之一，尤其是CVD硅外延机台的传输过程。

现有技术中，用于半导体工艺设备转运待加工工件的真空机械手，通常只是通过吸附压力判断其是否吸到待加工工件，然而，通过吸附压力进行判断经常会出现误判的情况，从而影响待加工工件的吸取。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种真空机械手，至少用以解决常规真空手指无法准确地判断是否吸到待加工工件的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种真空机械手，用于半导体工艺设备转运待加工工件使用，所述真空机械手包括：吸附构件和第一检测构件，所述吸附构件为透明材质；

所述吸附构件的一侧为用于承载所述待加工工件的承载面，所述承载面上具有基准区域，所述基准区域为符合所述待加工工件定位位置要求的区域；

所述第一检测构件设置于所述吸附构件背离所述承载面的一侧，且所述第一检测构件在所述承载面上的投影位于所述基准区域内；

所述第一检测构件用于对所述基准区域上是否具有所述待加工工件进行检测。

进一步的，所述真空机械手还包括：多个第二检测构件，所述第二检测构件设置于所述吸附构件背离所述承载面的一侧，且多个所述第二检测构件在所述承载面上的投影位于所述基准区域内，并靠近所述基准区域的边缘，用于检测所述基准区域的中心和所述待加工工件的中心是否重合。

进一步的，所述真空机械手还包括：安装构件，所述安装构件固定于所述吸附构件背离所述承载面的一侧，所述第一检测构件和多个所述第二检测构件均设置于所述安装构件上。

进一步的，多个所述第二检测构件设置于所述安装构件的背离所述吸附构件的一侧面上；

所述安装构件上开设有多个通孔，所述通孔用于供相对应的所述第二检测构件所发射的光线穿过。

进一步的，所述第二检测构件的数量为四个，四个所述第二检测构件相对所述基准区域沿周向等距排列。