[发明专利]高亮彩色硅基OLED微显示器制备方法及微显示器件

权利要求书

1.一种硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、提供第一晶圆，所述第一晶圆带有CMOS驱动电路，所述第一晶圆具备正面和正面，正面为键合面，正面最上层为钨孔，所述钨孔与阳极像素一一对应，并构成阳极像素与CMOS驱动电路连接通道；

S2、在第一晶圆上制备像素阳极，并对像素阳极进行图案化；

S3、提供未图案化的第二晶圆，所述第二晶圆具备正面和背面，所述正面为键合面；

S4、将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合，形成第三晶圆；

S5、将第三晶圆的第二晶圆面进行图案化，至露出部分需要进行OLED沉积位置的像素阳极；

S6、将第三晶圆送入真空镀膜机，制备发射特定颜色的OLED；

S7、以第三晶圆的第二晶圆面为工艺面，用化学气相沉积工艺形成一整面钝化层；

S8、重复S5-S7若干次，完成硅基OLED微型显示器OLED层的制备；

S9、将第一晶圆和第二晶圆进行解键合，获得制备完OLED的第一晶圆基板。

2.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述的第一晶圆和第二晶圆可选尺寸为6寸、8寸或者12寸。

3.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S2中第一晶圆的阳极结构包括但不限定于一层或者多层复合结构组成的Al、Ag、Ti、Mo、In、Sn以及它们的氧化物或氮化物，所述步骤S2中的阳极的图案化包括一次或者多次的清洗、沉积、光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶去除等步骤。

4.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S3中第二晶圆为减薄晶圆，减薄后的第二晶圆的厚度为10-100um，可以采用化学机械抛光技术进行第二晶圆的减薄。

5.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S4中晶圆的键合方法可以为，在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。

6.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S5中第二晶圆面的图案化采用黄光制程制备，包括清洗、光刻胶涂布、曝光、显影、干法刻蚀、光刻胶去除等步骤，第二晶圆的图案根据所需蒸镀的OLED区域来限定。

7.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S6中，制备发射特定颜色的OLED时，第三晶圆的第二晶圆面朝下，所述的OLED发射的颜色包括但不限定于红光OLED、绿光OLED、蓝光OLED和白光OLED，OLED制备包括各有机功能层的制备以及透明阴极的制备。

8.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述步骤S7中的钝化层为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜与氧化硅薄膜的组合，所述顿化层的厚度为300-1000nm，所述步骤S9中第一晶圆和第二晶圆的解键合可以采用激光分离技术，打断第一晶圆和第二晶圆结合界面，完成第一晶圆和第二晶圆的分离。

9.根据权利要求1所述的硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于：所述硅基OLED微型显示器制备还包括步骤：薄膜封装，玻璃盖板贴合，晶圆切割和绑定。

10.一种硅基OLED微型显示器件，其特征在于：采用如权利要求1-9任一所述的方法制备而成。