[发明专利]高亮彩色硅基OLED微显示器制备方法及微显示器件

说明书

本发明属于微型显示技术领域，具体为一种高亮度彩色硅基OLED微型显示器制备方法及硅基OLED微型显示器件。本发明的硅基OLED微型显示器无需制备彩色滤光片，可以实现RGB及其他各种颜色OLED的沉积，在保证硅基OLED微型显示器高PPI的条件下，可以大幅提高现有技术中制作的硅基OLED的亮度和效率，在相同亮度条件下，降低硅基OLED显示器件的功耗，同时可以改善现有技术中白光OLED加彩色滤光片方案中色域不佳的问题。

技术领域

本发明属于微型显示技术领域，具体为一种高亮彩色硅基OLED微显示器制备方法及微显示器件。

背景技术

硅基微显示器是一种高像素密度的显示器件，一般的其显示像素密度可以达到2000PPI以上，在一些高端显示领域有重要的应用。常见的基于硅基的微型显示器包括硅基液晶显示(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)，硅基数字微镜显示(DMD)，硅基发光二极管(LED)显示和硅基有机发光二极管(OLED)显示等。尤其的，硅基有机发光二极管，即硅基OLED或者Micro-OLED由于其在产品显示质量和制造工艺成熟度与成本方面有显著的优势，被认为是下一代的梦幻显示器件，越来越受到更多学术和产业界的关注。

通常，硅基OLED的彩色化彩用白光OLED上贴合彩色滤光片玻璃或者白光OLED上采用低温工艺直接制备彩色滤光片的方法实现彩色。与电视或者手机等领域应用的OLED所不同的是，硅基OLED的显示像素密度需要达到2000以上，若采用RGB条状的子像素排布结构，对应的最小子像素CD为4.2um，而目前传统的OLED FMM的精度最高也就20um左右，远远达不到硅基OLED 2000PPI的要求。当前产业界广泛采用的白光OLED+彩色滤光片的方案也有明显的不足。这主要因为(1)彩色滤光片的光透过率一般小于30%，这意味着OLED 70%的出光会被浪费，大幅降低的硅基OLED的亮度或者出光效率；(2) 白光OLED+彩色滤光片的方案制约了硅基OLED色域的提升，难以发挥出OLED天然的色彩优势。

本发明的目的在于提供一种新的硅基OLED微型显示器的制备方法及硅基OLED微型显示器， 以解决上述背景技术中提出的问题，采用本发明的方法制备的OLED微显示器可以提高产品的亮度和显示品质，同时该方法具备良好的量产性，提高了良率，降低了设备成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基OLED微型显示器制备方法及采用该方法制备的硅基OLED微型显示器件，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种硅基OLED微型显示器制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、提供第一晶圆，所述第一晶圆带有CMOS驱动电路，所述第一晶圆具备正面和正面，正面为键合面，正面最上层为钨孔，所述钨孔与阳极像素一一对应，并形成阳极像素与CMOS驱动电路连接的通道；

S2、在第一晶圆上制备像素阳极，并对像素阳极进行图案化；

S3、提供未图案化的第二晶圆，所述第二晶圆具备正面和背面，所述正面为键合面；

S4、将所述第一晶圆的键合面与所述第二晶圆的键合面键合，形成第三晶圆；

S5、将第三晶圆的第二晶圆面进行图案化，至露出部分需要进行OLED沉积位置的像素阳极，第二晶圆的图案根据所需蒸镀的OLED区域来限定；

S6、将第三晶圆送入真空镀膜机，制备发射特定颜色的OLED；

S7、以第三晶圆的第二晶圆面为工艺面，用化学气相沉积工艺形成一完整钝化层；

S8、重复S5-S7若干次，完成硅基OLED微型显示器OLED层的制备；

S9、将第一晶圆和第二晶圆进行解键合。