[发明专利]高压装置

权利要求书

1.一种高压装置，其包括：

衬底；

至少一第一隔离件，其在所述衬底中；

第一阱区；

框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；

漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及

源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离，

其中所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包括第一导电类型，所述衬底包括第二导电类型，且所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。

2.根据权利要求1所述的高压装置，其进一步包括：

第二阱区，其在所述第一阱区中；

第一掺杂区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；

第二掺杂区，其邻近所述源极区；及

第三掺杂区，其在所述第二掺杂区之下，

其中所述第一掺杂区包括所述第一导电类型，且所述第二掺杂区、所述第三掺杂区及所述第二阱区包括所述第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的高压装置，其进一步包括在所述第三掺杂区之下的第四掺杂区，其中所述第四掺杂区包括所述第二导电类型，且通过所述第二阱区将所述第四掺杂区与所述第一阱区分离。

4.根据权利要求2所述的高压装置，其进一步包括在所述第一阱区及所述第二阱区中的第三阱区，其中所述第三阱区包括所述第二导电类型。

5.根据权利要求1所述的高压装置，其进一步包括放置于所述衬底中且与所述框架状栅极结构及所述第一隔离件分离的第二隔离件，其中所述源极区经放置于所述框架状栅极结构与所述第二隔离件之间。

6.一种高压装置，其包括：

衬底，其包括放置于其中的框架状隔离件；

框架状栅极结构，其在所述衬底上方且覆盖所述框架状隔离件的一部分；

漏极区，其在所述衬底中且通过所述框架状隔离件围封；

源极区，其在所述衬底中且在与所述漏极区相对的一侧上邻近所述框架状栅极结构；

第一掺杂区，其在所述漏极区之下且与所述衬底分离；及

第二掺杂区，其在所述源极区之下且与所述源极区及所述衬底分离，

其中所述漏极区、所述源极区及所述第一掺杂区包括第一导电类型，且所述衬底及所述第二掺杂区包括与所述第一导电类型互补的第二导电类型。

7.根据权利要求6所述的高压装置，其进一步包括：

第一阱区，其在所述衬底中；及

第二阱区，其在所述第一阱区中且通过所述第一阱区而与所述衬底分离，

其中所述第一阱区包括所述第一导电类型且所述第二阱区包括所述第二导电类型。

8.根据权利要求7所述的高压装置，其进一步包括：

第三掺杂区，其在所述第二阱区上方且包括所述第二导电类型，其中所述第三掺杂区的侧壁与所述第一阱区接触；及

第三阱区，其包括所述第二导电类型，

其中所述第三阱区的一部分在所述第一阱区中且所述第三阱区的一部分在所述第二阱区中，且所述第二掺杂区介于所述第三掺杂区与所述第三阱区之间。