[发明专利]高压装置

说明书

本发明实施例涉及高压装置。根据本发明的一些实施例，一种高压装置包含：衬底；至少一第一隔离件，其在所述衬底中；第一阱区；框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离。所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包含第一导电类型，且所述衬底包含第二导电类型。所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。

技术领域

本发明实施例涉及高压装置。

背景技术

半导体集成电路(IC)材料、设计、处理及制造中的技术进步已实现IC装置的大小的不断缩减，其中每一代具有比上一代更小且更复杂的电路。

由于由例如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)的装置构成的半导体电路经调适用于例如高压横向扩散金属氧化物半导体(HV LDMOS)装置的高压应用，所以随着先进技术不断缩小尺度，出现关于降低电压性能的问题。为防止源极与漏极之间的击穿，或为减小源极及漏极的电阻，标准MOS制造工艺流程可伴随多次高浓度植入。随着装置可靠性降级，往往发生实质衬底泄漏及电压崩溃。

发明内容

本发明的实施例涉及一种高压装置，其包括：衬底；至少一第一隔离件，其在所述衬底中；第一阱区；框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离，其中所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包括第一导电类型，所述衬底包括第二导电类型，且所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。

本发明的实施例涉及一种高压装置，其包括：衬底，其包括放置于其中的框架状隔离件；框架状栅极结构，其在所述衬底上方且覆盖所述框架状隔离件的一部分；漏极区，其在所述衬底中且通过所述框架状隔离件围封；源极区，其在所述衬底中且在与所述漏极区相对的侧上邻近所述框架状栅极结构；第一掺杂区，其在所述漏极区之下且与所述衬底分离；及第二掺杂区，其在所述源极区之下且与所述源极区及所述衬底分离，其中所述漏极区、所述源极区及所述第一掺杂区包括第一导电类型，且所述衬底及所述第二掺杂区包括与所述第一导电类型互补的第二导电类型。

本发明的实施例涉及一种高压装置，其包括：第一框架状隔离件及第二框架状隔离件，其彼此分离；覆盖所述第一框架状隔离件的一部分的第一框架状栅极结构及覆盖所述第二框架状隔离件的一部分的第二框架状栅极结构；通过所述第一框架状隔离件围封的第一漏极区及通过所述第二框架状隔离件围封的第二漏极区；围绕所述第一框架状栅极结构的第一框架状源极区及围绕所述第二框架状栅极结构的第二框架状源极区；第一掺杂区，其围绕所述第一框架状栅极结构及所述第二框架状栅极结构；及第二掺杂区，其介于所述第一框架状栅极结构与所述第二框架状栅极结构之间，且耦合到所述第一掺杂区，其中所述第一漏极区、所述第二漏极区、所述第一框架状源极区及所述第二框架状源极区包括第一导电类型，且所述衬底、所述第一掺杂区及所述第二掺杂区包括与所述第一导电类型互补的第二导电类型。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是在一或多个实施例中根据本揭露的方面的高压装置的俯视图。

图2是沿着图1的线I-I’获取的剖面图。

图3是在一或多个实施例中根据本揭露的方面的高压装置的俯视图。

图4是沿着图3的线II-II’获取的剖面图。

具体实施方式