[发明专利]一种用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置在审
申请号: | 202011353653.X | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112420582A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 王宁昌;闫贺亮;朱建辉;徐钰淳;赵延军;宋运运;赵炯 | 申请(专利权)人: | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/687;H01L21/683 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 程世芳 |
地址: | 450001 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 衬底 材料 最优 划片 方向 微调 吸盘 装置 | ||
一种用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置,包括吸盘底座、设于吸盘底座上的U型滑台装置以及控制U型滑台装置倾斜角度的滑台微调系统,滑台微调系统与U型滑台装置通过齿轮啮合定位,U型滑台装置上方还固设有用于吸附的微孔陶瓷;U型滑台装置包括U型滑台上部和U型滑台下部,且U型滑台上部和U型滑台下部通过对应布设的槽结构滑动配合,并通过配设在U型滑台上部的滑台紧固件锁紧固定。该用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置,通过U型滑台装置和控制U型滑台装置倾斜角度的滑台微调系统的布设,可以实现调节衬底的倾斜角度,进而能够以最优的加工方向对衬底进行划片加工,减少崩边的尺寸,提高加工质量和晶圆的利用率。
技术领域
本发明属于晶圆加工技术领域,特别涉及一种用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置。
背景技术
衬底作为制作各种芯片的原材料,在经过外延沉积和图形化后被用来制作成各种芯片。衬底不管是光电材料还是半导体材料都是单晶材料,单晶材料都有各自不同的滑移系统,使得其使用相同的工艺参数沿着不同方向加工时的力、表面质量、加工效率或工具磨损有明显的差异。而芯片制作完成后需要通过划片刀对衬底进行划切分切成小颗粒。而材料的最活跃的滑移系统会导有些材料的正崩和背崩严重,造成材料损失率很大,需要增加切缝的宽度同时也会降低芯片的强度进而增加单个芯片的成本。
专利CN201380047765.4公开了显示出稳定的超弹性的Cu-Al-Mn系合金材料及其制造方法,在制造后要求70%以上的晶粒处于偏离晶体取向001,取向的偏离角度为0°~50°的范围内,但是并没有提出如何能够确定最佳加工方向。专利CN201010598282.1公开了一种基于切削力波动特性的单晶材料切削方法及微调刀架,其微调刀架,包括刀架体,第一压电陶瓷安装支架,第一压电陶瓷,第一弹性变形薄膜,计算机系统,刀夹体,第二弹性变形薄膜,第二压电陶瓷和第二压电陶瓷安装支架。计算机系统通过数据线与第一压电陶瓷和第二压电陶瓷连接。刀夹体固定在刀架体上。刀具安装在刀夹体内。微调刀架使用带有单晶材料切削力波动特性信息的计算机控制压电陶瓷的伸长和缩短,从而对刀具前角以及刀具与工件之间相对距离进行微量调整,能实现一次装夹就可以根据单晶材料切削加工表面的力学波动特性调整刀具与工件表面倾角以及刀具与工件相对距离的目的,实现单晶材料均匀一致的表面质量的切削加工要求,且具有加工效率高,精度高,操作方便等特点,其虽然可以实现单晶材料切削过程中切削方向的调整,但是仍不能确定哪个切削方向为最优加工方向。
衬底材料到加工的后期成本已经很高了,划切的过程中减小正崩和背崩的尺寸可以使单个芯片的面积降低后能够提高衬底材料的使用率,并且可以提高芯片强度,但是有些晶圆的最优切割方向并不是通过旋转就可以实现的,需要使晶圆的摆放倾斜一定的角度,这就需要对真空吸盘进行微调,因此设计一种角度可调节的吸盘装置对于实现衬底材料的最优划片方向是很有意义的。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术的不足,提供一种用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置,能够使衬底材料在真空吸盘上倾斜一定的角度,进而使得在划片的过程中避开最容易发生崩口的方向,减小崩边的尺寸,提高加工质量和衬底的利用率。
为解决以上技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种用于衬底材料最优划片方向的微调吸盘装置,包括吸盘底座、设于吸盘底座上的U型滑台装置以及控制U型滑台装置倾斜角度的滑台微调系统,滑台微调系统与U型滑台装置通过齿轮啮合定位,U型滑台装置上方还固设有用于吸附的微孔陶瓷;
U型滑台装置包括U型滑台上部和U型滑台下部,且U型滑台上部和U型滑台下部通过对应布设的槽结构滑动配合,并通过配设在U型滑台上部的滑台紧固件锁紧固定。
所述U型滑台下部包括U型本体以及间隔凸设于U型本体上的两个下T型台,且在两个下T型台之间的U型本体上还开设有下T型槽;
所述U型滑台上部包括与下T型台配设的上T型槽以及与下T型槽配合的上T型台;
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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