[发明专利]刻蚀机台的处理方法

权利要求书

1.一种刻蚀机台的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

预处理：向所述刻蚀机台的反应腔内多次打入含有氧自由基及氢自由基的等离子体，以去除反应腔内的水汽及反应腔表面的Si-C键；

灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。

2.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述预处理步骤中，等离子体反应的源气体为O₂与H₂N₂的混合气体。

3.根据权利要求2所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述O₂与H₂N₂混合气体中，H₂N₂占比为5％～15％。

4.根据权利要求2所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，所述H₂N₂中，H₂占比为1％～10％，N₂占比为90％-99％。

5.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述预处理步骤中，所述反应腔内的压力为1～2torr。

6.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述灰化处理步骤中，等离子体反应的源气体为O₂与N₂的混合气体。

7.根据权利要求6所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述O₂与N₂的混合气体中，N₂占比为5％～15％。

8.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，所述灰化处理步骤进一步包括：

第一次灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基及氢自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-C键，解离产物能够附着在所述反应腔表面；

第二次灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。

9.根据权利要求8所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述第一次灰化处理步骤和/或所述第二次灰化处理步骤中，所述反应腔内的压力为1～2torr。

10.根据权利要求8所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，所述第一次灰化处理步骤的时间为0.5-1.5min，所述第二次灰化处理步骤的时间为0.5-1.5min。

11.根据权利要求8所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，所述第一次灰化处理步骤和/或所述第二次灰化处理步骤中采用的晶圆控片的数量为100-200片。

12.根据权利要求8所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在所述第一次灰化处理和/或第二次灰化处理步骤中，还包括加热具有光刻胶的晶圆控片的步骤。

13.根据权利要求12所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，加热温度大于130摄氏度。

14.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在预处理步骤之前，还包括对反应腔进行泄露检查的步骤。

15.根据权利要求1所述的刻蚀机台的处理方法，其特征在于，在灰化处理步骤之后，还包括对反应腔进行颗粒数量测试的步骤。