[发明专利]刻蚀机台的处理方法

说明书

一种刻蚀机台的处理方法包括：预处理：向所述刻蚀机台的反应腔内多次打入含有氧自由基及氢自由基的等离子体，以去除反应腔内的水汽及反应腔表面的Si‑C键；灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si‑OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。本发明刻蚀机台的处理方法能够避免等离子体与反应腔表面的化学键结合，从而避免在后续的测机作业中出现颗粒物数量过高的情况，大大减小刻蚀机台宕机时间及次数。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种刻蚀机台的处理方法。

背景技术

为了延长刻蚀机台的使用寿命，提高刻蚀机台的制程性能，通常会对机台进行定期保养，例如，会对刻蚀机台进行季、/半年、年保养。具体地说，在进行保养时，会对刻蚀机台的腔室(chamber)内的各个部件使用沾水的无尘布进行清洁。例如，对腔室的适配器和挡板零件(Adaptor and Baffle parts)、腔室内壁(chamber wall)、加热载盘(heat chuck)进行清洁，以去除腔室内附着的刻蚀制程中产生的生成物。在执行清洁操作后，在刻蚀机台复用之前，需要去除反应腔内的水汽。通常的去除方法是，对反应腔采用等离子体(plasma)空打，将腔室内的水汽带走。

但是，在刻蚀机台处理程序结束，进行机台复用前的测机作业(测试机台蚀刻率及颗粒物数量)时，往往出现反应腔内颗粒物数量过高的情况，当机时间及次数增加。

因此，如何减少刻蚀机台的颗粒物数量，减少当机时间及次数，成为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种刻蚀机台的处理方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种刻蚀机台的处理方法，其包括如下步骤：预处理：向所述刻蚀机台的反应腔内多次打入含有氧自由基及氢自由基的等离子体，以去除反应腔内的水汽及反应腔表面的Si-C键；灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。

进一步，在所述预处理步骤中，等离子体反应的源气体为O₂与H₂N₂的混合气体。

进一步，在所述O₂与H₂N₂混合气体中，H₂N₂占比为5％～15％。

进一步，所述H₂N₂中，H₂占比为1％～10％，N2占比为90％-99％。

进一步，在所述预处理步骤中，所述反应腔内的压力为1～2torr。

进一步，在所述第二次灰化处理步骤中，等离子体反应的源气体为O₂与N₂的混合气体。

进一步，在所述O₂与N₂的混合气体中，N₂占比为5％～15％。

进一步，所述灰化处理步骤进一步包括：第一次灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基及氢自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-C键，解离产物能够附着在所述反应腔表面；第二次灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si-OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面

进一步，在所述第一次灰化处理步骤和/或所述第二次灰化处理步骤中，所述反应腔内的压力为1～2torr。