[发明专利]一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法

权利要求书

1.一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）制备含有助熔剂的多晶料棒；

2）在光学浮区炉中，以高于正常生长速度约30-60%的速度，快速进行预生长；

3）快速预生长即将结束时，即料棒头部仅剩约0.5-1.2cm时，在温度和转速不变的情况下，停止熔区移动约1-3分钟；

4）将步骤3得到的预生长多晶料棒作为熔体部分，将剩余的料棒头作为籽晶，开始反向移动熔区，熔区移动的速率降为0.15mm -0.5mm/min，5-9小时后结束晶体生长，即采用光学浮区炉实现了TSSG顶部籽晶法生长的效果，称之为助熔剂倒提拉法；

5）在步骤2和4所述的两个完全相反的生长过程中，始终保持固液界面平缓连接，全程不中断，直至生长过程结束。

2.如权利要求1所述的一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法，其特征在于，所述步骤1具体方法如下：将按摩尔比配置的原料在玛瑙坩埚中充分研磨20-40分钟后，将混合均匀的原料转移至陶瓷坩埚中，放入烧结炉中于170-210 ^oC烧结12-24小时，制作约5-8cm的初始料棒。