[发明专利]一种硅基OLED微显示器件

权利要求书

1.一种硅基OLED微显示器件，其特征在于，包括：硅基板(1),硅基板上制备有OLED驱动电路，所述驱动电路通过钨阀与像素层(2)连接，所述像素层(2)包括像素定义层(201)和像素阳极层(202)，所述像素阳极层(202)为多层复合结构，包括层叠于所述钨阀之上的Ti连接层(2021),所述Ti连接层(2021)上设置有共Al反射层(2022)，所述共Al反射层(2022)上设置有多个导电纳米棒(222)，所述导电纳米棒(222)为四层复合结构，包括层叠于共Al反射层(2022)之上的原位纳米层(2023)，所述原位纳米层(2023)上设置有Al导电层(2024)，所述Al导电层(2024)将所述原位纳米层(2023)包覆，并与所述共Al反射层(2022)连接，所述Al导电层(2024)上设置有TiN连接层(2025),所述TiN连接层(2025)将所述Al导电层(2024)包覆，并与所述共Al反射层(2022)连接，所述TiN连接层(2025)上设置有ITO导电层(2026)，所述ITO导电层(2026)将所述TiN连接层(2025)包覆并与所述共Al反射层(2022)连接，所述导电纳米棒(222)的底面直径为50-150nm，所述导电纳米棒(222)的高度为100-250nm，所述导电纳米棒(222)的设置间隔为50-200nm，采用原位纳米层(2023)定义导电纳米棒(222)的尺寸，并通过导电纳米棒(222)尺寸和间隔的调节实现白光OLED中不同发光峰的选择性出光。

2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：硅基OLED微显示器件还包括OLED发光层(3)，所述OLED发光层为白光OLED，所述白光OLED为顶发射OLED器件结构，采用半透明的阴极出光方式，所述OLED发光层(3)层叠在像素层(2)上，所述OLED发光层(3)上还层叠有薄膜封装层(4)，所述薄膜封装层(4)为多层复合薄膜，包括ALD层、PECVD层或IJP层，所述薄膜封装层(4)上设置有玻璃盖板(5)，所述薄膜封装层(4)和玻璃盖板(5)通过透明光学胶进行连接。

3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述像素定义层(201)将像素阳极层每个隔断，并定义出每个像素的形状，所述形状为矩形、六边形或者圆形；所述像素定义层(201)为绝缘材料，包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者有机高聚物，所述像素定义层(201)的高度为100-2000nm，所述像素定义层(201)的宽度为200-2000nm，所述像素定义层(201)中心与紧邻的像素定义层(201)的间隔为1500-15000nm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述Ti连接层(2021)的厚度为2-10nm。

5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述共Al反射层(2022)的厚度为100-2000nm，所述共Al反射层(2022)与钨阀一一对应，定义硅基OLED微显示器件的一个子像素。

6.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述原位纳米层(2023)为原位生长或者光刻工艺制备的纳米结构。

7.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述Al导电层(2024)的厚度为40-60nm。

8.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述TiN连接层(2025)的厚度为2-10nm。

9.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述ITO导电层(2026)的厚度为5-15nm。