[发明专利]一种硅基OLED微显示器件

说明书

本发明属于微型显示技术领域，具体为一种高亮高色域的硅基OLED微显示器件。本发明的硅基OLED微型显示器无需制备彩色滤光片，通过对应像素层的调节可以实现RGB及其他各种颜色OLED发射，在保证硅基OLED微型显示器高PPI的条件下，可以大幅提高现有技术中制作的硅基OLED的亮度和效率，在相同亮度条件下，降低硅基OLED显示器件的功耗，同时可以大幅改善现有技术中白光OLED加彩色滤光片方案中色域不佳的问题。

技术领域

本发明属于微型显示技术领域，具体为一种硅基OLED微显示器件。

背景技术

硅基OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，它区别于常规的利用非晶硅、微晶硅或者低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，它是以单晶硅作为有源驱动背板制作的主动式有机发光二极管显示器件，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件，具有高分辨率、高集成度、低功耗、体积小、重量轻等诸多优势。硅基OLED微显示器现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR 以及自动驾驶等新技术的应用，硅基OLED微显示器件将迎来爆发式的增长。

现如今采用精细掩膜(FMM)技术难以满足硅基OLED高精细度像素需求，因此硅基OLED的彩色化方案目前还只能采用白光OLED+彩色滤光片(CF)的技术方案。而采用该方案的硅基OLED器件受限于白光OLED效率相对低下以及CF 的70％的光效损失，硅基OLED产品亮度大大受限，难以满足头戴显示特别是 AR头戴显示对于高亮度微显示器件的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基OLED微显示器件，以解决上述背景技术中提出的问题。采用本发明的OLED微显示器可以提高产品的亮度和显示品质。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种硅基OLED微显示器件，包括：硅基板,硅基板上制备有OLED驱动电路，所述驱动电路通过钨阀与像素层连接，所述像素层包括像素定义层和像素阳极层，所述像素阳极层为多层复合结构，包括层叠于所述钨阀之上的Ti连接层,所述Ti连接层上设置有共A1反射层，所述共A1反射层上设置有多个导电纳米棒，所述导电纳米棒为四层复合结构，包括层叠于共A1反射层之上的原位纳米层，所述原位纳米层上设置有Al导电层，所述Al导电层将所述原位纳米层包覆，并与所述共A1反射层连接，所述Al导电层上设置有TiN连接层, 所述TiN连接层将所述Al导电层包覆，并与所述共A1反射层连接，所述TiN 连接层上设置有ITO导电层，所述ITO导电层将所述TiN连接层包覆并与所述共A1反射层连接，所述导电纳米棒的底面直径为50-150nm，所述导电纳米棒的高度为100-250nm，所述导电纳米棒的设置间隔为50-200nm，采用原位纳米层定义导电纳米棒的尺寸，并通过导电纳米棒尺寸和间隔的调节实现白光 OLED中不同发光峰的选择性出光。

进一步的，硅基OLED微显示器件还包括OLED发光层，所述OLED发光层为白光OLED，所述白光OLED为顶发射OLED器件结构，采用半透明的阴极出光方式，所述OLED发光层层叠在像素层上，所述OLED发光层上还层叠有薄膜封装层，所述薄膜封装层为多层复合薄膜，包括但不限于ALD层、PECVD层和 IJP层，所述薄膜封装层上设置有玻璃盖板，所述薄膜封装层和玻璃盖板通过透明光学胶进行连接。

进一步的，像素定义层将像素阳极层每个隔断，并定义出每个像素的形状，所定义的形状为矩形、六边形或者圆形；所述像素定义层为绝缘材料，包括但不限定于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者有机高聚物，所述像素定义层的高度为100-2000nm，所述像素定义层的宽度为200-2000nm，所述像素定义层中心与紧邻的像素定义层的间隔为1500-15000nm。

进一步的，Ti连接层的厚度为2-10nm。

进一步的，共A1反射层的厚度为100-2000nm，所述共A1反射层定义与钨阀一一对应，定义硅基OLED微显示器件的一个子像素。