[发明专利]包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供包括多个凹部(10)的金属层(8)；

提供包括多个半导体裸片(2)的半导体晶片(12)，其中，每个所述半导体裸片(2)包括布置在所述半导体晶片(12)的表面(14)上的电接触部(4)；

将所述金属层(8)的位于相邻的凹部(10)之间的区段(16)与所述电接触部(4)对正；

将所述电接触部(4)和所述金属层(8)的所述区段(16)接合；和

在所述接合之后，对半导体晶片(12)的背侧进行薄化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在对半导体晶片(12)的背侧进行薄化之前，胶(30)施加到所述半导体晶片(12)的所述表面(14)，所述胶(30)覆盖所述电接触部(4)的侧表面和上侧。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，当沿垂直于所述半导体裸片(2)的所述表面(14)的方向观察时，所述电接触部(4)的覆盖区和所述金属层(8)的所述区段(16)的覆盖区一致。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，将所述电接触部(4)和所述金属层(8)的所述区段(16)接合包括扩散结合操作、预烧结操作和烧结操作中的至少一个。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

将所述金属层(8)的凹部(10)与所述半导体晶片(12)的划线对正。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

在将所述电接触部(4)和所述金属层(8)的所述区段(16)接合之前，用电绝缘材料(18)填充所述凹部(10)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述电绝缘材料(18)包括抗蚀剂、环氧树脂、酰亚胺和模制化合物中的至少一种。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述方法还包括：

在将所述电接触部(4)和所述金属层(8)的所述区段(16)接合之后，从所述金属层(8)的表面上去除材料，直到在所述金属层(8)的表面处露出所述电绝缘材料(18)；和

去除电绝缘材料(18)。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述金属层(8)包括金属箔、金属片、金属引线框架和金属板中的至少一种。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

在所述金属层(8)中提供至少两个开口(20)；和

基于使用所述开口(20)作为对正标记将所述金属层(8)与所述半导体晶片(12)对正。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：

将所述金属层(8)和所述半导体晶片(12)单个化分割成多个半导体装置。