[发明专利]包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置在审
申请号: | 202011355918.X | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112864120A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | O·黑尔蒙德;B·艾兴格;T·迈尔;I·穆里 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/78 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 接触 布置 金属 半导体 装置 | ||
一种半导体装置包括:半导体裸片;电接触部,其布置在所述半导体裸片的表面上;和金属层,其布置在所述电接触部上,其中,所述金属层包括金属箔、金属片、金属引线框架和金属板中的至少一种的被单个化分割的部分。当沿垂直于所述半导体裸片的所述表面的方向观察时,所述电接触部的覆盖区和所述金属层的覆盖区基本上一致。
技术领域
本公开总体上涉及半导体技术。特别地,本公开涉及包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置。本公开还涉及用于制造这种半导体装置的方法。
背景技术
用于制造半导体装置的半导体晶片变得越来越薄,使得半导体晶片和由其获得的半导体裸片可能遭受弱的机械稳定性。然而,在半导体晶片加工和半导体裸片附接时,可能发生高的热机械应力。半导体装置的制造商一直在努力改进其产品及其制造方法。期望开发具有提高的机械稳定性的半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法。
发明内容
本公开的一方面涉及一种半导体装置。所述半导体装置包括半导体裸片。所述半导体装置还包括布置在半导体裸片的表面上的电接触部。所述半导体装置还包括布置在电接触部上的金属层,其中,所述金属层包括金属箔、金属片、金属引线框架和金属板中的至少一种的被单个化切割的部分。当沿垂直于半导体裸片的表面的方向观察时,电接触部的覆盖区和金属层的覆盖区基本上一致。
本公开的另一方面涉及一种方法。所述方法包括提供包括多个凹部的金属层。所述方法还包括提供包括多个半导体裸片的半导体晶片,其中,每个半导体裸片均包括布置在半导体晶片的表面上的电接触部。所述方法还包括将金属层的位于相邻的凹部之间的区段与电接触部对正。所述方法还包括将电接触部和金属层的所述区段接合。
附图说明
附图被包括以提供对多个方面的进一步理解,并且附图被并入本说明书中并构成其一部分。附图示出了多个方面,并且与描述一起用于解释各方面的原理。通过参考下面的详细描述,可以更好地理解其它方面以及各方面的许多预期优点。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相似的附图标记可以指示相应的相似部件。
图1示意性地示出了根据本公开的半导体装置的侧剖视图。
图2A、图2B、图2C、图2D示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体装置的方法的侧剖视图。
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I、图3J、图3K、图3L、图3M、图3N、图3O、图3P示意性地示出了根据本公开的用于制造半导体装置的方法。
图4示意性地示出了根据本公开的半导体装置的侧剖视图。
图5示意性地示出了根据本公开的半导体装置的侧剖视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中,参考了附图,在附图中通过图示的方式示出了可以实践本公开的特定方面。在这点上,可以参考所描述的附图的取向来使用诸如“顶”、“底”、“前”、“背”等方向性术语。由于所描述的装置的器件可以以许多不同的取向定位,因此方向术语可以用于说明的目的,而绝不是限制性的。在不脱离本公开的概念的情况下,可以利用其它方面并且可以进行结构或逻辑改变。因此,以下详细描述将不以限制意义来理解,本公开的概念由所附权利要求书限定。
以一般方式示出了图1的半导体装置100,以便定性地指定本公开的多个方面。半导体装置100可包括为简单起见未示出的其它方面。例如,可以通过结合根据本公开的其它半导体装置和方法描述的任何方面来扩展半导体装置100。
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