[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 202011356020.4 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112466771B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 周毅;张贝 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本申请提供一种半导体装置,包括壳体、承载平台以及气源组件。壳体上形成有隔离腔体,以及连通隔离腔体的进风口和出风口,承载平台位于隔离腔体内,用于放置半导体元件。气源组件位于隔离腔体的外部,分别与进风口和出风口连通,以向隔离腔体内输送洁净气流。洁净气流能够在半导体元件的表面形成隔离气流,以防止隔离腔体内的尘粒落在半导体元件上。本申请提供的半导体装置,通过引导洁净气流在半导体元件的表面形成隔离气流,有效地降低了洁净气流流向半导体元件的表面,对半导体元件造成污染的风险。
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体装置。
背景技术
在半导体器件的生产制造中,需要对半导体元件,例如晶圆,进行多道复杂的处理工艺,采用多层沉积、光刻等方法在半导体元件的表面形成图形化的薄膜,然后构成各种电学元器件以及电路结构等。
在半导体元件的每一道制造工艺中,随着半导体装置自身不断地的运转、老化,不可避免地会产生一些尘粒等污染物落在半导体元件上。这些尘粒等污染物将严重影响半导体元件的品质,为此,需要严格控制半导体元件加工过程中的环境洁净度。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例期望提供一种半导体装置,以降低半导体元件的表面污染。
为达到上述目的,本申请实施例提供一种半导体装置,包括:
壳体,形成有隔离腔体、以及连通所述隔离腔体的进风口和出风口;
承载平台,位于所述隔离腔体内,用于放置半导体元件;以及
气源组件,位于所述隔离腔体的外部,分别与所述进风口和所述出风口连通,以向所述隔离腔体内输送洁净气流;
所述洁净气流能够在所述半导体元件的表面形成隔离气流,以防止所述隔离腔体内的尘粒落在所述半导体元件上。
进一步地,所述半导体装置还包括导流体,用于引导所述洁净气流在所述半导体元件的表面形成隔离气流。
进一步地,所述承载平台包括转动连接的旋转平台和平移平台,所述半导体元件放置在所述旋转平台上,所述导流体设置在所述平移平台上。
进一步地,所述导流体上形成有导流面,由所述承载平台的边缘到中心的方向,所述导流面的高度逐渐增加。
进一步地,所述导流面相对于所述半导体元件的平面的倾斜角度为α,15°≤α≤60°。
进一步地,所述气源组件包括第一气源组件和第二气源组件,所述第一气源组件向所述隔离腔体内输送第一洁净气流,所述第二气源组件向所述隔离腔体内输送第二洁净气流,所述第一洁净气流的强度大于所述第二洁净气流的强度;
所述进风口包括第一进风口和第二进风口,所述出风口包括第一出风口和第二出风口,所述第一进风口和第一出风口形成在所述隔离腔体沿平行于所述半导体元件的表面方向的两侧,所述第二进风口和所述第二出风口形成在所述隔离腔体沿垂直于所述半导体元件的表面方向的两侧;
所述第一洁净气流经过所述第一进风口流入所述隔离腔体内,在所述半导体元件的表面形成所述隔离气流,所述第二洁净气流经过所述第二进风口流入所述隔离腔体内。
进一步地,所述第一气源组件包括鼓风机和排风机,所述鼓风机与所述第一进风口连接,所述排风机与所述第一出风口连接。
进一步地,所述导流体设置在所述承载平台靠近所述第一进风口的一侧,以及设置在所述承载平台靠近所述第一出风口的一侧。
进一步地,所述半导体装置还包括进风导流组件和出风导流组件,所述进风导流组件上形成有导流进风口,所述出风导流组件上形成有导流出风口;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造