[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，是基板处理装置对基板进行处理的基板处理方法，

所述基板处理装置具有：

处理容器；

载置台，其配置于所述处理容器内；

吸附部，其设置于所述载置台上，温度能够变更，并且根据施加的电压来对基板进行静电吸附；以及

气体供给部，其向配置于所述吸附部的所述基板与所述吸附部之间供给传热用的气体，

所述基板处理方法包括以下工序：

将从所述气体供给部向所述基板与所述吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比所述第一压力低的第二压力；

将向所述吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比所述第一电压低的第二电压；

将所述吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；

在将从所述气体供给部供给的气体的压力设为所述第二压力并且将向所述吸附部施加的施加电压设为所述第二电压的状态下，通过所述吸附部对所述基板进行静电吸附来将该基板保持第一时间；

将从所述气体供给部供给的气体的压力从所述第二压力变更为比所述第一压力低且比所述第二压力高的第三压力；以及

将向所述吸附部施加的施加电压从所述第二电压变更为比所述第二电压高的第三电压。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在变更为所述第二压力的工序之前，还包括以所述第一温度对所述基板实施第一工艺的处理的工序，

在变更为所述第三电压的工序之后，还包括以所述第二温度对所述基板实施第二工艺的处理的工序。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

在变更为所述第三电压之后，还包括将从所述气体供给部供给的气体的压力从所述第三压力变更为比所述第三压力高的第四压力的工序。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一压力与所述第四压力相等。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一电压与所述第三电压相等。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在变更为第二压力的所述工序中，通过将从所述气体供给部供给的气体排气至排气系统，来将向所述基板与所述吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比所述第一压力低的第二压力。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述吸附部的温度从第一温度变更为第二温度时，切断向所述载置台供给的高频电力。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一温度比所述第二温度高。

9.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一温度比所述第二温度低。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述基板处理装置还具有检测部，所述检测部检测所述吸附部的温度，

在进行保持的所述工序中，通过所述吸附部对所述基板进行静电吸附来保持该基板，直至由所述检测部检测出的所述吸附部的温度与所述第二温度之差成为规定值以内为止，

在变更为所述第三压力的工序中，当所述吸附部的温度与所述第二温度之差成为规定值以内时，将从所述气体供给部供给的气体的压力从所述第二压力变更为比所述第一压力低且比所述第二压力高的所述第三压力。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在变更向所述吸附部施加的施加电压的工序中，向所述载置台供给高频电力。