[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审

申请号：	202011356160.1	申请日：	2020-11-27
公开（公告）号：	CN112928010A	公开（公告）日：	2021-06-08
发明（设计）人：	滨康孝;松原稜;新藤信明	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/3065
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是抑制微粒向基板的附着的技术。基板处理方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将保持该基板第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

专利文献1公开了如下一种技术：通过使静电吸盘的吸附面与晶圆之间流动背侧气体来使相对的吸附力下降，以使晶圆相对于吸附面进行滑动移动，由此减少微粒的产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-21964号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的基板处理方法利用基板处理装置变更基板的温度的方法。基板处理装置具有处理容器、载置台、吸附部以及气体供给部。载置台配置于处理容器内。吸附部设置于载置台上，温度能够变更，并且根据施加的电压来对基板进行静电吸附。气体供给部向配置于吸附部的基板与吸附部之间供给传热用的气体。温度变更方法包括以下工序：将从气体供给部向基板与吸附部之间供给的气体的压力从第一压力变更为比第一压力低的第二压力；将向吸附部施加的施加电压从第一电压变更为比第一电压低的第二电压；将吸附部的温度从第一温度变更为第二温度；在将从气体供给部供给的气体的压力设为第二压力并且将向吸附部施加的施加电压设为第二电压的状态下，通过吸附部对基板进行静电吸附来将该基板保持第一时间；将从气体供给部供给的气体的压力从第二压力变更为比第一压力低且比第二压力高的第三压力；以及将向吸附部施加的施加电压从第二电压变更为比第二电压高的第三电压。

发明的效果

根据本公开，能够抑制微粒向基板的附着。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一例的概要截面图。

图2是表示以往的基板处理方法的一例的时序图。

图3是说明微粒的产生原因的图。

图4是表示本实施方式所涉及的基板处理方法的一例的时序图。

图5是表示按施加于静电吸盘的施加电压来显示在晶圆产生的损伤长度的图。

图6是示出基于传热气体的泄漏量的判定结果的图。

图7是总结了图5和图6的判定结果的图。

图8是示出晶圆的温度变化的图。

图9是总结了图5、图6及图8的判定结果的图。