[发明专利]一种芯片器件的转移方法

权利要求书

1.一种芯片器件的转移方法，其特征在于，所述芯片器件的转移方法包括：

在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层；

采用激光剥离、化学腐蚀或者研磨方式去除所述支撑衬底以将所述多个芯片器件转移至所述临时衬底层；

刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁；

去除所述键合层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落；

通过承接载具承接所述多个芯片器件。

2.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层的步骤中，在所述键合层和所述临时衬底层之间形成有激光牺牲层，所述激光牺牲层包括紫外感光胶、有机胺、酚醛树脂、聚酰亚胺、氮化硅、氧化铟锡、氧化钛、非晶硅。

3.根据权利要求2所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述去除所述键合层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落的步骤还包括，去除所述牺牲层层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落。

4.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述键合层为能够被紫外波段激光分解的键合材料，包括紫外感光胶、有机胺、酚醛树脂、二乙烯基硅氧烷、聚酰亚胺、环氧树脂、热熔胶、玻璃胶、氮化硅、氧化铟锡、氧化钛、非晶硅，或者所述键合层为非紫外波段激光分解的材料，包括氧化硅；

所述临时衬底层为能够透过400nm以下的紫外光的刚性材料，所述临时衬底层为石英、玻璃或者蓝宝石。

5.根据权利要求4所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层的步骤中，所述键合层为同种材料形成，或者多种不同材料的组合形成。

6.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁的步骤中，刻蚀深度d满足H1≤d≤H2，其中H1为所述芯片器件侧壁处嵌入所述键合层的厚度，H2为键合层的整体厚度。

7.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁的步骤中，先在垂直于所述键合层厚度的方向纵向刻蚀所述键合层，再与所述键合层厚度垂直的方向横向刻蚀所述键合层。

8.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述去除所述键合层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落的步骤中，通过在所述临时衬底上放置掩膜板的方式施加紫外光以使得与所述掩膜板的透光区对应的芯片器件脱落。

9.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述芯片器件包括发光材料基底及设于所述发光材料基底上的电极，所述电极中设有磁吸物质，所述承接载具的下方设有电磁铁或永磁铁。

10.根据权利要求1所述的芯片器件的转移方法，其特征在于，所述承接载具的上表面设有粘性胶层，所述粘性胶层为多个独立的区块。