[发明专利]一种芯片器件的转移方法

说明书

本申请提供一种芯片器件的转移方法，该芯片器件的转移方法包括在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层，采用激光剥离、化学腐蚀或者研磨方式去除支撑衬底以将多个芯片器件转移至临时衬底层，刻蚀键合层以露出多个芯片器件的侧壁，去除键合层以使得多个芯片器件从临时衬底层脱落，通过承接载具承接多个芯片器件。通过上述方式，本申请提供的芯片器件的转移方法，更容易实现键合层的均匀分解，从而保证芯片转移过程中的掉落精度和良品率，实现芯片器件图形化有序排列并进行转移。

技术领域

本申请涉及芯片制造技术领域，特别涉及一种芯片器件的转移方法。

背景技术

芯片制造工艺流程主要包括制作晶圆、晶圆涂膜、晶圆光刻显影、刻蚀、离子注入、晶圆测试以及封装。在每个加工工艺过程中，都需要对芯片进行批量图形化有序排列并转移。现有的技术方案中，一种方案是通过用胶将芯片全包围并利用激光进行转移，但这种全包覆的结构会紧紧抓住芯片而导致芯片无法良好脱落。另一种方案是将芯片通过胶膜与临时衬底键合在一起，再通过激光将胶膜分解，从而使芯片掉落。但是这种整面的胶膜分解状况是比较难以控制的，在芯片比较轻薄的时候，比如芯片为microLED的情形，会因为膜层的分解不均匀而导致芯片与胶膜脱离的一致性不够，从而使芯片掉落时会产生翻转和偏移，影响排列精度。

发明内容

本申请提供一种芯片器件的转移方法，以解决现有技术中芯片与胶膜脱离的一致性不够，从而使芯片掉落时会产生翻转和偏移，影响排列精度的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种芯片器件的转移方法，所述芯片器件的转移方法包括：

在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层；

采用激光剥离、化学腐蚀或者研磨方式去除所述支撑衬底以将所述多个芯片器件转移至所述临时衬底层；

刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁；

去除所述键合层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落；

通过承接载具承接所述多个芯片器件。

根据本申请一具体实施例，所述在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层的步骤中，在所述键合层和所述临时衬底层之间形成有激光牺牲层，所述激光牺牲层包括紫外感光胶、有机胺、酚醛树脂、聚酰亚胺、氮化硅、氧化铟锡、氧化钛、非晶硅。

根据本申请一具体实施例，所述去除所述键合层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落的步骤还包括，去除所述牺牲层层以使得所述多个芯片器件从所述临时衬底层脱落。

根据本申请一具体实施例，所述键合层为能够被紫外波段激光分解的键合材料，包括紫外感光胶、有机胺、酚醛树脂、二乙烯基硅氧烷、聚酰亚胺、环氧树脂、热熔胶、玻璃胶、氮化硅、氧化铟锡、氧化钛、非晶硅，或者所述键合层为非紫外波段激光分解的材料，包括氧化硅；所述临时衬底层为能够透过400nm以下的紫外光的刚性材料，所述临时衬底层为石英、玻璃或者蓝宝石。

根据本申请一具体实施例，所述在设有多个芯片器件的支撑衬底上形成键合层及临时衬底层的步骤中，所述键合层为同种材料形成，或者多种不同材料的组合形成。

根据本申请一具体实施例，所述刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁的步骤中，刻蚀深度d满足H1≤d≤H2，其中H1为所述芯片器件侧壁处嵌入键合层的厚度，H2为键合层的整体厚度。

根据本申请一具体实施例，所述刻蚀所述键合层以露出所述多个芯片器件的侧壁的步骤中，先在垂直于所述键合层厚度的方向纵向刻蚀所述键合层，再在与所述键合层厚度垂直的方向横向刻蚀所述键合层。