[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，该电子装置包括：

面板，所述面板包括至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管；和

驱动电路，所述驱动电路被配置为驱动所述面板，

其中，所述面板包括：

基板；

缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板上；

所述第一薄膜晶体管的第一有源层，所述第一有源层是包括钼的氧化物半导体层并且设置在所述缓冲层上；

所述第二薄膜晶体管的第二有源层，所述第二有源层是氧化物半导体层并且与所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层间隔开地设置在所述缓冲层上；

第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜与所述第一有源层和所述第二有源层交叠；

所述第一薄膜晶体管的第一栅极，所述第一栅极与所述第一栅绝缘膜和所述第一有源层的一部分交叠；和

所述第二薄膜晶体管的第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅绝缘膜交叠，与所述第一栅极间隔开，并与所述第二有源层的一部分交叠。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一薄膜晶体管包括设置在所述第一有源层上的第三有源层，

所述第一栅绝缘膜设置在所述第三有源层上，并且

所述第一栅极设置在所述第一栅绝缘膜上。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第三有源层中的钼含量等于或小于所述第一有源层中的钼含量。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，绝缘膜设置在所述第一栅极上，

所述第一薄膜晶体管还包括在所述绝缘膜上彼此分开设置的第一电极和第二电极，

所述第一电极连接到所述第三有源层的被制成导电的第一区域，并且

所述第二电极连接到所述第三有源层的与所述第一区域间隔开并且被制成导电的第二区域。

5.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一栅绝缘膜设置在所述第二薄膜晶体管的第二有源层上，并且

所述第二栅极设置在所述第一栅绝缘膜上。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述第一栅绝缘膜与所述第一薄膜晶体管的第一有源层和第三有源层中的每一个的一部分交叠，并且所述第一栅绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的第二有源层的一部分交叠。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，绝缘膜设置在所述第二栅极上，

所述第二薄膜晶体管还包括在所述绝缘膜上彼此分开地设置的第三电极和第四电极，

所述第三电极和所述第四电极中的每一个连接到所述第二有源层。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一栅绝缘膜设置在所述第一薄膜晶体管的所述第一有源层上和所述第二薄膜晶体管的所述第二有源层下方，

第二栅绝缘膜设置在所述第一栅绝缘膜和所述第二有源层上，并且

所述第一栅极和所述第二栅极设置在所述第二栅绝缘膜上。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，在所述第一栅极和所述第二栅极上设置有绝缘膜，

所述第一薄膜晶体管还包括在所述绝缘膜上彼此分开地设置的第一电极和第二电极，

所述第一电极连接到所述第一有源层的被制成导电的第三区域，并且

所述第二电极连接到所述第一有源层的第四区域，所述第四区域与所述第三区域间隔开并且被制成导电。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其中，在所述第一栅极和所述第二栅极上设置有绝缘膜，

所述第二薄膜晶体管还包括在所述绝缘膜上彼此分开地设置的第三电极和第四电极，

所述第三电极连接到所述第二有源层的被制成导电的第五区域，并且

所述第四电极连接到所述第二有源层的第六区域，所述第六区域与所述第五区域间隔开并且导电。