[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置

说明书

薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置。提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板和包括该基板的电子装置。所述TFT阵列包括：第一TFT的第一有源层，所述第一有源层是包括钼的氧化物半导体层；第二TFT的第二有源层，所述第二有源层是氧化物半导体层并且布置在缓冲层上与第一有源层间隔开；第一栅绝缘膜，其与第一有源层和第二有源层交叠；第一TFT的第一栅极，所述第一栅极与第一栅绝缘膜和第一有源层的一部分交叠；以及第二TFT的第二栅极，所述第二栅极与第一栅绝缘膜交叠，与第一栅极间隔开，并且与第二有源层的一部分交叠。因此，第一TFT具有高的亚阈值参数，第二TFT具有高迁移率。

技术领域

本公开的实施方式涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板和包括该薄膜晶体管(TFT)阵列基板的电子装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对诸如显示装置和照明装置的各种电子装置的需求以各种形式增加。这种电子装置可以包括其中设置有数据线和选通线的面板、用于驱动数据线的数据驱动器和用于驱动选通线的选通驱动器。

在作为电子装置核心的面板中，可以设置具有各种功能的多个晶体管来驱动面板。

由于这个原因，面板制造过程复杂且难以管理。因此，追求处理的便利性可能导致晶体管的装置性能下降。

特别是，很难设计出一种晶体管，该晶体管具有满足多个不同功能的晶体管的要求的结构。

发明内容

本公开的实施方式旨在提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及包括该基板的电子装置，在所述薄膜晶体管(TFT)阵列基板中，设置在基板上的多个TFT中的至少一个包括有源层中的钼(Mo)，因此具有高的亚阈值(S)参数。

此外，本公开的实施方式旨在提供一种薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置，在薄膜晶体管阵列基板中，设置在基板上的多个薄膜晶体管中的至少一个具有足够的迁移率，从而有利于信号传输。

在本公开的一个方面，提供了一种电子装置，该电子装置包括：面板，该面板包括至少一个第一TFT和至少一个第二TFT；以及驱动电路，该驱动电路用于驱动面板。该面板包括：缓冲层，该缓冲层设置在面板的基板上；第一TFT的第一有源层，该第一有源层是包含钼的氧化物半导体层并设置在缓冲层上；第二TFT的第二有源层，该第二有源层是氧化物半导体层并设置在缓冲层上与第一TFT的第一有源层间隔开；第一栅绝缘膜，该第一栅绝缘膜与第一有源层和第二有源层交叠；第一TFT的第一栅极，该第一栅极与第一栅绝缘膜和第一有源层的一部分交叠；以及第二TFT的第二栅极，该第二栅极与第一栅绝缘膜交叠，与第一栅极间隔开，并且与第二有源层的一部分交叠。

在本公开的另一方面，提供了一种TFT阵列基板，该TFT阵列基板包括：缓冲层，该缓冲层设置在基板上；第一TFT的第一有源层，该第一有源层是设置在缓冲层上的包括钼的氧化物半导体层；第二TFT的第二有源层，该第二有源层是氧化物半导体层，并设置在缓冲层上与第一TFT的第一有源层间隔开；第一栅绝缘膜，该第一栅绝缘膜与第一有源层和第二有源层交叠；第一TFT的第一栅极，该第一栅极与第一栅绝缘膜和第一有源层的一部分交叠；以及第二TFT的第二栅极，该第二栅极与第一栅绝缘膜交叠，与第一栅极间隔开，并且与第二有源层的一部分交叠。

根据本公开的实施方式，可以提供一种TFT阵列基板和包括TFT阵列基板的电子装置，在所述TFT阵列基板中，布置在基板上的多个TFT中的至少一个在有源层中包括钼(Mo)，因此具有高的亚阈值(S)参数。

此外，根据本公开的实施方式，可以提供一种TFT阵列基板和包括该TFT阵列基板的电子装置，在所述TFT阵列基板中，设置在基板上的多个TFT中的至少一个具有足够的迁移率，因而有利于信号传输。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，本公开的上述和其他目的、特征和优点将变得更加明显，在附图中：

图1是示意性示出根据本公开的实施方式的电子装置的配置的图；