[发明专利]存储芯片

权利要求书

1.一种存储芯片，其特征在于，包括：

一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，所述第一SOT单元的第一端与位线电连接，所述第一SOT单元的第二端与所述开关单元的第一端电连接，所述开关单元的第二端与源极线电连接，所述开关单元的第三端与字线电连接，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接或者与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；

数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，所述读单元的第一端和所述写单元的第一端分别与源极线电连接，所述读单元的第二端与所述第二SOT单元的第一端电连接，所述写单元的第二端与所述第二SOT单元的第二端电连接，所述第二SOT单元的第三端与位线电连接，所述第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层。

2.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一MTJ的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一自旋轨道矩层的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述第一自旋轨道矩层的第三端为所述第一SOT单元的第三端，所述数据读取单元与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二MTJ有一个，所述第二MTJ的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二自旋轨道矩层的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二自旋轨道矩层的第三端为所述第二SOT单元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

3.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一自旋轨道矩层的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一MTJ的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二MTJ有一个，所述第二自旋轨道矩层的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二MTJ的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

4.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一MTJ的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一自旋轨道矩层的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述第一自旋轨道矩层的第三端为所述第一SOT单元的第三端，所述数据读取单元与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二MTJ有多个，多个所述第二MTJ的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二自旋轨道矩层的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二自旋轨道矩层的第三端为所述第二SOT单元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

5.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一自旋轨道矩层的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一MTJ的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二自旋轨道矩层的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二MTJ有多个，多个所述第二MTJ的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

6.根据权利要求2所述的存储芯片，其特征在于，所述第一SOT单元还包括通孔结构和绝缘介质层，所述通孔结构垂直贯穿所述绝缘介质层，所述绝缘介质层与所述第一自旋轨道矩层的远离所述第一MTJ的表面接触，所述通孔结构的第一端与所述第一自旋轨道矩层的远离所述第一MTJ的表面接触，所述通孔结构的第二端为所述第一SOT单元的第二端，且所述通孔结构在预定平面上的投影位于所述第一MTJ的结构层中，所述预定平面为所述第一MTJ所在的平面。