[发明专利]存储芯片

说明书

本申请提供了一种存储芯片，包括：一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，第一SOT单元的第一端与位线电连接，第一SOT单元的第二端与开关单元的第一端电连接，开关单元的第二端与源极线电连接，开关单元的第三端与字线电连接，第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，读单元的第一端和写单元的第一端分别与源极线电连接，读单元的第二端与第二SOT单元的第一端电连接，写单元的第二端与第二SOT单元的第二端电连接，第二SOT单元的第三端与位线电连接，第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层。

技术领域

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种存储芯片。

背景技术

相比于传统的STT-MRAM(自旋转移矩磁性随机存储器)，SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存储器)即保持了MRAM高速度和低功耗等优异特性，又实现了低写入电压及读写路径分离。有望取代STT-MRAM，利用自旋轨道矩实现快速而可靠的磁化翻转。存储芯片一般都会有一次可编程模块用来存储芯片的配置信息(如读取和写入条件等等)，通常易失性芯片采用eFuse作为一次可编程模块。MRAM作为非易失存储，可以利用其存储单元MTJ来存储配置信息，但应用中往往要求能够承受回流焊。现有技术中具有存储配置信息功能的存储芯片制作过程复杂，制造成本高。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种存储芯片，以解决现有技术中具有存储配置信息功能的存储芯片制作过程复杂，制造成本高的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种存储芯片，所述存储芯片包括一次可编程区域和数据存储区域，其中，所述一次可编程区域包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，所述第一SOT单元的第一端与位线电连接，所述第一SOT单元的第二端与所述开关单元的第一端电连接，所述开关单元的第二端与源极线电连接，所述开关单元的第三端与字线电连接，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接或者与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；所述数据存储区域包括第二SOT单元、读单元和写单元，所述读单元的第一端和所述写单元的第一端分别与源极线电连接，所述读单元的第二端与所述第二SOT单元的第一端电连接，所述写单元的第二端与所述第二SOT单元的第二端电连接，所述第二SOT单元的第三端与位线电连接，所述第二SOT单元包括接触设置的至少一个第二MTJ和第二自旋轨道矩层。

可选地，所述第一MTJ的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一自旋轨道矩层的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述第一自旋轨道矩层的第三端为所述第一SOT单元的第三端，所述数据读取单元与所述第一SOT单元的第三端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二MTJ有一个，所述第二MTJ的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二自旋轨道矩层的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二自旋轨道矩层的第三端为所述第二SOT单元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。

可选地，所述第一自旋轨道矩层的第二端为第一SOT单元的第一端，所述第一MTJ的第二端为所述第一SOT单元的第二端，所述数据读取单元与所述开关单元的第一端电连接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋轨道矩层的第一端电连接；所述第二MTJ有一个，所述第二自旋轨道矩层的第二端为第二SOT单元的第一端，所述第二MTJ的第二端为所述第二SOT单元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋轨道矩层的第一端电连接。