[发明专利]电极结构及其制备方法、薄膜晶体管

权利要求书

1.一种电极结构，其特征在于，包括：

至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，

至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，

所述电极的边缘设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，

所述防反射层远离所述电极一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。

2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极的边缘在背离所述衬底一侧的表面包括至少一延伸面，所述延伸面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并与该表面形成一夹角。

3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述电极背离所述衬底一侧的横截面积小于等于所述电极靠近所述衬底一侧的横截面积。

4.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述防反射层被配置为覆盖所述延伸面，所述防反射层背离所述延伸面一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一所述底切结构。

5.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述防反射层的材料为金属氧化物。

6.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述防反射层的材料为所述电极的材料的氧化物。

7.根据权利要求1所述的电极结构，所述电极的材料为铜或银，所述防反射层的材料为氧化铜或氧化银。

8.根据权利要求6所述的电极结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化钼。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅极或源极或漏极为权利要求1至8中任一项所述的电极。

10.一种电极结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

在一衬底上依次形成层叠的一缓冲层以及一金属层；

在所述金属层上形成一光阻层，以对所述缓冲层和所述金属层进行图案化处理，获得缓冲层和电极；以及，

在剥离所述光阻层前，在所述电极的表面形成防反射层。

11.根据权利要求10所述的电极结构的制备方法，其特征在于，所述在所述电极的表面形成防反射层的步骤包括：

在氧化性气体的环境中以极紫外光对暴露的所述电极的表面进行氧化，以形成防反射层。