[发明专利]电极结构及其制备方法、薄膜晶体管

说明书

一种电极结构，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，所述电极的边缘上设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层背离电极一侧的外表面与电极接触缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极结构及其制备方法、薄膜晶体管。

背景技术

随着液晶显示装置生产技术不断的发展，液晶显示装置逐步趋向窄边框化，乃至于无边框化。无边框显示产品设计需要将薄膜晶体管(TFT)侧朝外，以便进行柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC)绑定；当所述TFT侧朝外时，所述TFT区域的金属没有黑矩阵(Black matrix，BM)遮挡，导致显示面板(Panel)对环境光的反射率显著增大，一般通过在M1电极层下方引入黑金属层(black metal，MoOx)作为缓冲层，以降低环境光的反射率。但当所述TFT侧朝外时，由于刻蚀(etch)后金属电极的taper角(底切角，锥形角)朝向背光侧，以铜电极(Cu)为例，在暗态时，背光照射到Cu电极的taper角上，发生反射，导致漏光，严重影响产品的对比度。

发明内容

本申请实施例提供一种电极结构及其制备方法、薄膜晶体管，通过在一缓冲层上形成一电极，电极边缘具有延伸面，且围绕电极的边缘配置有一防反射层，使得防反射层覆盖延伸面，防反射层远离电极一侧的外表面与电极接触缓冲层的表面形成一底切结构，在TFT侧朝外产品中，利用该防反射层减低反射率，改善TFT侧朝外产品暗态漏光的问题。

本申请提出一种电极结构，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，在所述电极的边缘上设置少一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层远离所述电极一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。

在一些实施例中，所述电极的边缘在背离所述衬底一侧的表面包括至少一延伸面，所述延伸面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并与该表面形成一夹角。

在一些实施例中，在垂直于所述衬底的方向上，所述电极背离所述衬底一侧的横截面积小于等于所述电极靠近所述衬底一侧的横截面积。

在一些实施例中，所述防反射层被配置为覆盖所述延伸面，所述防反射层背离所述延伸面一侧的外表面与所述电极接触所述缓冲层的表面相接触并形成所述底切结构。

在一些实施例中，所述防反射层的材料为金属氧化物。

在一些实施例中，所述防反射层的材料为所述电极的材料的氧化物。

在一些实施例中，所述电极的材料为铜或银，所述防反射层的材料为氧化铜或氧化银。

在一些实施例中，所述缓冲层的材料为氧化钼。

本申请还提出一种薄膜晶体管，包括如上所述的电极。

本申请还提出一种电极结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

在一衬底上依次形成层叠的一缓冲层以及一金属层；

在所述金属层上形成一光阻层，以对所述缓冲层和所述金属层进行图案化处理，获得缓冲层和电极；以及，

在剥离所述光阻层前，在所述电极的表面形成防反射层。

在一些实施例中，所述在所述电极的表面形成防反射层的步骤包括：在氧化性气体的环境中以极紫外光对暴露的所述电极的表面进行氧化，以形成防反射层。