[发明专利]射频跨接器件和射频器件有效
申请号: | 202011362554.8 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112886299B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | P·纳多 | 申请(专利权)人: | 楼氏卡泽诺维亚公司 |
主分类号: | H01R13/02 | 分类号: | H01R13/02;H01R13/46;H01R31/06;H05K1/11;H05K1/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志华;王小东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 器件 | ||
1.一种射频跨接器件,该射频跨接器件包括:
绝缘基板,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
跨接导体,其设置在所述第一表面上,在所述第一表面的第一边缘和所述第一表面的第二边缘之间延伸;
凹陷,所述凹陷在所述第二表面中,所述凹陷至少部分由(i)第三表面和(ii)至少一个侧壁限定,所述第三表面相对于所述第二表面凹进,所述至少一个侧壁在所述第二表面和所述第三表面之间延伸;以及
导电涂层,其形成在所述第二表面的一部分、所述第三表面以及所述至少一个侧壁上方,所述导电涂层通过所述绝缘基板与所述跨接导体电隔离,
其中,所述跨接导体的至少一部分包括传输线,并且
其中,所述跨接导体包括设置在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个与所述传输线之间的至少一个阻抗匹配结构。
2.根据权利要求1所述的射频跨接器件,其中,所述凹陷在所述绝缘基板的两个侧表面之间延伸。
3.根据权利要求2所述的射频跨接器件,其中,所述凹陷横向于所述跨接导体延伸。
4. 根据权利要求1所述的射频跨接器件,所述射频跨接器件还包括:
第一过渡导体,其电连接到所述跨接导体,所述第一过渡导体被设置在所述绝缘基板的第一端表面上;以及
第二过渡导体,其电连接到所述跨接导体,所述第二过渡导体被设置在所述绝缘基板的第二端表面上。
5.根据权利要求4所述的射频跨接器件,其中,所述第一过渡导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二表面的第一边缘之间延伸,并且其中,所述第二过渡导体在所述第一表面的所述第二边缘和所述第二表面的第二边缘之间延伸。
6.根据权利要求4所述的射频跨接器件,其中,所述绝缘基板的所述第一端表面包括第一凹入区域,并且其中,所述第一过渡导体至少部分地设置在所述第一凹入区域上方。
7. 根据权利要求4所述的射频跨接器件,所述射频跨接器件还包括:
第一跨接接触件,其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并电连接到所述第一过渡导体;以及
第二跨接接触件,其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并电连接到所述第二过渡导体。
8.根据权利要求7所述的射频跨接器件,其中,所述第一跨接接触件通过第一电隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开,并且其中,所述第二跨接接触件通过第二电隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开。
9.根据权利要求1所述的射频跨接器件,其中,所述跨接导体包括多个金属层,其中,所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。
10.根据权利要求9所述的射频跨接器件,其中,所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。
11.根据权利要求1所述的射频跨接器件,其中,所述导电涂层包括多个金属层,其中,所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。
12.根据权利要求11所述的射频跨接器件,其中,所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。
13.根据权利要求1所述的射频跨接器件,其中,所述绝缘基板包含陶瓷材料、玻璃、蓝宝石、石英或印刷电路板材料中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于楼氏卡泽诺维亚公司,未经楼氏卡泽诺维亚公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011362554.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。