[发明专利]射频跨接器件和射频器件有效
申请号: | 202011362554.8 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN112886299B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | P·纳多 | 申请(专利权)人: | 楼氏卡泽诺维亚公司 |
主分类号: | H01R13/02 | 分类号: | H01R13/02;H01R13/46;H01R31/06;H05K1/11;H05K1/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志华;王小东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 器件 | ||
本发明涉及射频跨接器件和射频器件。一种微波或射频(RF)跨接器件包括绝缘基板,绝缘基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该器件还包括跨接导体,跨接导体设置在第一表面上,在第一表面的第一边缘和第一表面的第二边缘之间延伸。该器件还包括在第二表面中的凹陷,凹陷由(i)相对于第二表面凹形的第三表面和(ii)在第二表面和第三表面之间延伸的至少一个侧壁部分限定。该器件还包括导电涂层,该导电涂层形成在第二表面的至少一部分、第三表面和至少一个侧壁上方,其中,导电涂层通过绝缘基板与跨接导体绝缘。
技术领域
本发明涉及射频跨接器件和射频器件。
背景技术
微波和射频(RF)电路可装入传输线的走线,这些传输线将集成在基板(诸如印刷电路板)上的RF元件(诸如放大器、混频器和滤波器)互连。在某些情形下,印刷电路板上的传输线路径可相交,从而导致需要跨接元件。
发明内容
在实施方式中,一种RF跨接器件包括绝缘基板,该绝缘基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。该跨接器件还包括跨接导体,该跨接导体设置在所述第一表面上,在所述第一表面的第一边缘和所述第一表面的第二边缘之间延伸。该跨接器件还包括在所述第二表面中的凹陷,该凹陷由(i)相对于所述第二表面凹进的第三表面和(ii)在所述第二表面和所述第三表面之间延伸的至少一个侧壁部分限定。该跨接器件还包括导电涂层,该导电涂层形成在所述第二表面的至少一部分、所述第三表面和所述至少一个侧壁上方,所述导电涂层通过绝缘基板与跨接导体绝缘。
在一些实施方式中,所述凹陷在所述绝缘基板的两个侧表面之间延伸。在一些实施方式中,所述凹陷在与所述跨接导体在所述第一表面上延伸的方向正交的方向上延伸。在一些实施方式中,所述跨接器件还包括:第一过渡导体,其与所述跨接导体导电联接,被设置在所述绝缘基板的第一侧表面上;以及第二过渡导体,其与所述跨接导体导电联接,被设置在所述绝缘基板的第二侧表面上。
在一些实施方式中,所述第一过渡导体在所述第一表面的所述第一边缘和所述第二表面的第一边缘之间延伸,并且其中,所述第二过渡导体在所述第一表面的所述第二边缘和所述第二表面的第二边缘之间延伸。在一些实施方式中,所述绝缘基板的所述第一侧表面包括第一凹入区域,并且其中,所述第一过渡导体至少部分地设置在所述第一凹入区域上方。在一些实施方式中,所述跨接器件还包括:第一跨接接触件,其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第一过渡导体联接;第二跨接接触件,其设置在所述绝缘基板的所述第二表面上并与所述第二过渡导体联接。在一些实施方式中,所述第一跨接接触件通过第一跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开,并且所述第二跨接接触件通过第二跨接隔离区域与所述第二表面上的所述导电涂层分开。
在一些实施方式中,所述跨接导体的至少一部分包括传输线。在一些实施方式中,所述跨接导体包括设置在所述传输线与所述第一表面的所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个之间的至少一个阻抗匹配结构。在一些实施方式中,所述跨接导体包括多个金属层,其中,所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。在一些实施方式中,所述多个金属层包括铜、银、金、镍或钛钨合金中的至少两种的金属层。在一些实施方式中,所述导电涂层包括多个金属层,其中,所述多个金属层中的至少两个金属层的材料不同。在一些实施方式中,所述绝缘基板包含陶瓷材料、玻璃、蓝宝石、石英或印刷电路板材料中的至少一种。
在一些实施方式中,一种RF器件包括电路板,该电路板具有第一表面和相对的第二表面。该RF器件还包括设置在所述电路板的所述第一表面上的第一RF导体,该第一RF导体在第一方向上延伸。该RF器件还包括设置在所述电路板的所述第一表面上的第二RF导体,该第二RF导体在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。RF器件还包括接地导体,该接地导体设置在所述电路板的所述第一表面上,所述接地导体与所述第一RF导体和所述第二RF导体电隔离。该RF器件还包括设置在所述电路板上的RF跨接器件。所述绝缘基板的所述第二表面上方的所述导电涂层与所述接地平面接触。所述第一RF导体在所述绝缘基板的所述第二表面中的所述凹陷下方经过,并且所述第二RF导体与设置在所述绝缘基板的所述第一表面上的所述跨接导体电联接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于楼氏卡泽诺维亚公司,未经楼氏卡泽诺维亚公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011362554.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。