[发明专利]薄膜腔声谐振器的Mason电路模型

权利要求书

1.一种薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，其特征在于，包括：在建立的薄膜腔声谐振器的原Mason模型中增加串联电阻R_s和并联电阻R_p；

所述原Mason模型包括变压器、第一静态电容对应的第一阻抗参数模块、第二静态电容对应的第二阻抗参数模块、压电层的声学阻抗模块；

所述串联电阻R_s的一端连接电学端口G1，所述串联电阻R_s的另一端分别连接所述变压器的次级线圈的第二端、所述第一阻抗参数模块的第一端和所述并联电阻R_p的一端；所述串联电阻R_s用于单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中串联谐振频率处的品质因数Q_s；

所述并联电阻R_p的另一端分别连接所述第一阻抗参数模块的第二端、电学端口G2和所述第二阻抗参数模块的第一端；所述并联电阻R_p用于单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中并联谐振频率处的品质因数Q_p；所述串联电阻R_s的值与Q_s的值成反比；所述并联电阻R_p与Q_p的值成正比；

所述第二阻抗参数模块的第二端连接所述变压器的次级线圈的第一端；

所述变压器的初级线圈的第二端接地，所述变压器的初级线圈的第一端连接所述压电层的声学阻抗模块。

2.如权利要求1所述的薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，其特征在于，所述原Mason模型还包括：顶电极的声学阻抗模块以及底电极的声学阻抗模块；

所述顶电极的声学阻抗模块的一端接地，所述顶电极的声学阻抗模块的另一端连接所述压电层的声学阻抗模块的第一端，所述压电层的声学阻抗模块的第二端连接所述底电极的声学阻抗模块的一端，所述底电极的声学阻抗模块的另一端接地；

所述压电层的声学阻抗模块的第三端连接所述变压器的初级线圈的第一端。

3.如权利要求2所述的薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，其特征在于，所述顶电极的声学阻抗模块包括：第一Z参数方程模块、第二Z参数方程模块和第三Z参数方程模块；

所述第一Z参数方程模块的一端接地，所述第一Z参数方程模块的另一端分别连接所述第二Z参数方程模块的一端和所述第三Z参数方程模块的一端，所述第二Z参数方程模块的另一端连接所述压电层的声学阻抗模块的第一端；所述第三Z参数方程模块的另一端接地。

4.如权利要求3所述的薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，其特征在于，

所述第一Z参数方程模块为

Z₁[1,1]＝j*Z_Mo*tan(thetax)；

其中，Z₁[1,1]表示第一Z参数方程模块，j表示虚数，Z_Mo表示Mo的声特征阻抗，thetax表示底电极的相位移，tan(thetax)表示底电极的相位移的正切值；

所述第二Z参数方程模块为

Z₂[1,1]＝j*Z_Mo*tan(thetax)；

其中，Z₂[1,1]表示第二Z参数方程模块；

所述第三Z参数方程模块为

Z₃[1,1]＝j*Z_Mo/sin(2*thetax)

其中，Z₃[1,1]表示第三Z参数方程模块，sin(2*thetax)表示底电极的2倍相位移的正弦值。

5.如权利要求4所述的薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，其特征在于，所述压电层的声学阻抗模块包括：第四Z参数方程模块、第五Z参数方程模块和第六Z参数方程模块；

所述第四Z参数方程模块的一端连接所述顶电极的声学阻抗模块，所述第四Z参数方程模块的另一端分别连接所述第五Z参数方程模块的一端和所述第六Z参数方程模块的一端，所述第五Z参数方程模块的另一端连接所述底电极的声学阻抗模块的一端；所述第六Z参数方程模块的另一端连接所述变压器的初级线圈的第一端。