[发明专利]薄膜腔声谐振器的Mason电路模型

说明书

本发明适用于谐振器技术领域，提供了一种薄膜腔声谐振器的Mason电路模型，包括：在建立的薄膜腔声谐振器的原Mason模型中增加串联电阻R_s和并联电阻R_p，使得可以通过改变并联电阻R_p单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中并联谐振频率处的品质因数Q_p，通过改变串联电阻R_s单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中串联谐振频率处的品质因数Q_s，从而解决现有技术中无法单独调节Q_s和Q_p的大小导致谐振器模型与实际测试结果的拟合以及后续薄膜腔声谐振器滤波器的设计造成困难的问题。

技术领域

本发明属于谐振器技术领域，尤其涉及一种薄膜腔声谐振器的Mason电路模型。

背景技术

通常采用一维Mason模型来模拟单个薄膜腔声谐振器(Film Bulk AcousticResonator，FBAR)的频率特性，其中串联谐振频率和并联谐振频率分别为f_s和f_p，在在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数Q值分别为Q_s和Q_p，Q值的大小由电极材料和压电材料的损耗因子决定，改变电极材料或压电材料的损耗因子，Q_s和Q_p会同时变化，因此给谐振器模型与实际测试结果的拟合以及后续薄膜腔声谐振器滤波器的设计都造成了很多困难。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜腔声谐振器的电路Mason模型，旨在解决现有技术中无法单独调节Q_s和Q_p的大小导致谐振器模型与实际测试结果的拟合以及后续薄膜腔声谐振器滤波器的设计造成困难的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种薄膜腔声谐振器的电路Mason模型，包括：在建立的薄膜腔声谐振器的原Mason模型中增加串联电阻R_s和并联电阻R_p；

所述原Mason模型包括变压器、第一静态电容对应的第一阻抗参数模块、第二静态电容对应的第二阻抗参数模块、压电层的声学阻抗模块；

所述串联电阻R_s的一端连接电学端口G1，所述串联电阻R_s的另一端分别连接所述变压器的次级线圈的第二端、所述第一阻抗参数模块的第一端和所述并联电阻R_p的一端；所述串联电阻R_s用于单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中串联谐振频率处的品质因数Q_s；

所述并联电阻R_p的另一端分别连接所述第一阻抗参数模块的第二端、电学端口G2和所述第二阻抗参数模块的第一端；所述并联电阻R_p用于单独调节薄膜腔声谐振器的Mason电路模型中并联谐振频率处的品质因数Q_p；

所述第二阻抗参数模块的第二端连接所述变压器的次级线圈的第一端；

所述变压器的初级线圈的第二端接地，所述变压器的初级线圈的第一端连接所述压电层的声学阻抗模块。

作为本申请另一实施例，所述串联电阻R_s的值与Q_s的值成反比；

所述并联电阻R_p与Q_p的值成正比。

作为本申请另一实施例，所述原Mason模型还包括：顶电极的声学阻抗模块以及底电极的声学阻抗模块；

所述顶电极的声学阻抗模块的一端接地，所述顶电极的声学阻抗模块的另一端连接所述压电层的声学阻抗模块的第一端，所述压电层的声学阻抗模块的第二端连接所述底电极的声学阻抗模块的一端，所述底电极的声学阻抗模块的另一端接地；