[发明专利]ESD保护电路、电源及芯片有效

专利信息
申请号: 202011367832.9 申请日: 2020-11-30
公开(公告)号: CN112186726B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 胡伟佳;陈钢;张航 申请(专利权)人: 珠海市杰理科技股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H9/02
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 陈金普
地址: 519085 广东省珠海市吉*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: esd 保护 电路 电源 芯片
【权利要求书】:

1.一种ESD保护电路,其特征在于,包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和ESD钳位电路;

所述第一二极管的阳极分别连接接地端、所述第三二极管的阳极和所述ESD钳位电路的输出端,阴极连接所述第二二极管的阳极且用于连接第一电源;所述第二二极管的阴极分别连接所述第四二极管的阴极和所述ESD钳位电路的输入端;所述第三二极管的阴极连接所述第四二极管的阳极且用于连接第二电源;

所述ESD钳位电路包括电压偏置电路、侦测电路、维持电路、触发电路、关断电路和泄放电路;

所述侦测电路包括第一反相器和第一RC电路;所述第一RC电路包括第一电阻和第一电容;所述第一电阻的一端连接所述第二二极管的阴极,另一端分别连接所述第一电容的一端和第一反相器的输入端;所述第一电容的另一端连接所述电压偏置电路的中点端;所述电压偏置电路的第一端连接所述第二二极管的阴极,第二端连接所述第一二极管的阳极;

所述维持电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第二RC电路和第二反相器;所述第二RC电路包括第二电阻和第二电容;

所述第一MOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端,漏极连接所述第三MOS管的漏极,源极连接所述电压偏置电路的中点端;所述第二MOS管的栅极分别连接所述第三MOS管的栅极、所述泄放电路的第一控制端和所述第二反相器的输出端,源极连接所述电压偏置电路的中点端,漏极连接所述第二电容的一端;所述第三MOS管的源极连接所述第二二极管的阴极和所述第二电阻的一端;所述第二电阻的另一端分别连接所述第二反相器的输入端和所述第二电容的另一端;

所述触发电路包括第四MOS管、第五MOS管和第三电阻;所述第四MOS管的栅极连接所述第二MOS管的源极,源极连接所述第二MOS管的栅极,漏极分别连接所述泄放电路的第二控制端、所述第三电阻的一端和所述第五MOS管的栅极;所述第五MOS管的漏极连接所述电压偏置电路的中点端,源极接地;所述第三电阻的另一端接地;

所述关断电路用于根据芯片的使能信号,导通或断开所述第四MOS管的漏极与地的连接;所述泄放电路用于第一控制端和第二控制端接收的信号,导通第二二极管的阴极与地的连接,第四二极管的阴极与地的连接。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述电压偏置电路包括第一分压电路和第二分压电路;

所述第一分压电路的一端连接所述第二二极管的阴极,另一端连接所述第二分压电路的一端;所述第二分压电路的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路,其特征在于,所述第一分压电路包括第六MOS管和第七MOS管;所述第二分压电路包括第八MOS管和第九MOS管;

所述第六MOS管的源极连接所述第二二极管的阴极,所述第六MOS管的漏极分别连接所述第六MOS管的栅极和所述第七MOS管的源极;所述第七MOS管的漏极分别连接所述第七MOS管的栅极和所述第八MOS管的源极;所述第八MOS管的漏极分别连接所述第八MOS管的栅极和所述第九MOS管的源极;所述第九MOS管的栅极和漏极均接地;所述第七MOS管的漏极为所述中点端。

4.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述关断电路包括第十MOS管和使能开关;

所述第十MOS管的源极接地,漏极连接所述第四MOS管的漏极,栅极通过所述使能开关连接所述芯片。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路,其特征在于,所述泄放电路包括第十一MOS管和第十二MOS管;

所述第十一MOS管的漏极连接所述第二二极管的阴极,源极连接所述第十二MOS管的漏极,栅极连接所述第二反相器的输出端;所述第十二MOS管的源极接地,栅极连接所述第四MOS管的漏极。

6.根据权利要求5所述的ESD保护电路,其特征在于,所述第十一MOS管和所述第十二MOS管均为N-MOS管。

7.根据权利要求6所述的ESD保护电路,其特征在于,所述第十一MOS管和所述第十二MOS管的共源共栅结构与对应的P+衬底接触。

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