[发明专利]一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法

权利要求书

1.一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；

2)使用激光将金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；

3)在多晶硅电阻上进行粗调；

4)在多晶硅电阻上进行细调。

2.根据权利要求1所述的改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：所述步骤1)中将金属连线设置在矩形多晶硅电阻中部两侧。

3.根据权利要求2所述的改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：所述步骤2)具体为使用激光沿金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘由上向下进行描边。

4.根据权利要求1或2所述的改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：所述步骤3)具体为在多晶硅电阻上使用激光连续向中心修调。

5.根据权利要求4所述的改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特征在于：所述步骤4)具体为粗调结束后在多晶硅电阻上使用激光平行进行短点修调。