[发明专利]一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法

说明书

本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3)在多晶硅电阻上进行粗调；4)在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。

技术领域

本发明涉及航空、航海和航天等领域，尤其涉及电路设计中对电阻阻值精度要求极高的领域,具体为一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法。

背景技术

激光修调电阻在一些对电阻精度要求很高的专用电路中有广泛的应用。通常修调的电阻为薄膜电阻，采用激光调值器对薄膜电阻进行修调。薄膜电阻激光修调时，首先向薄膜电阻中心修调，此为粗调；粗调结束后平行进行短点修调，此为细调。但因为薄膜电阻生产需要特殊的工艺，流片成本高，与集成电路通用工艺不兼容。因此在集成电路通用工艺中一般为多晶硅电阻，而对多晶硅电阻直接采用针对薄膜电阻的修调方法会使电阻精度不能达标。

发明内容

本发明为解决背景技术中存在的上述技术问题，而提供一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，可以解决现有技术中针对多晶硅电阻修调精度不足和偏差的问题。

本发明的技术解决方案是：本发明为一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，其特殊之处在于：该方法包括以下步骤：

1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；

2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；

3)在多晶硅电阻上进行粗调；

4)在多晶硅电阻上进行细调。

优选的，步骤1)中将金属连线设置在矩形多晶硅电阻中部两侧。

优选的，步骤2)具体为使用激光沿多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘由上向下进行描边。

优选的，步骤3)具体为在多晶硅电阻上使用激光连续向中心修调。

优选的，步骤4)具体为粗调结束后在多晶硅电阻上使用激光平行进行短点修调。

多晶硅电阻不同于薄膜电阻，在工艺制造时相对厚度更厚，在其边缘会出现低阻区域以及电场集中，因此本发明提供的一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，通过将多晶硅电阻设计呈矩形，在用激光修调多晶硅电阻金属连线未连接的两侧边缘进行修调，而后在多晶硅电阻内部通过向中心激光连续粗调以及平行短点细调的方法。其具有以下优点：本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。

附图说明

图1为本发明的方法示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，该方法包括以下步骤：

1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻中部两侧；

2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；修调方式具体为使用激光沿多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘由上向下进行描边；

3)在多晶硅电阻上进行粗调；粗调具体为在多晶硅电阻上使用激光连续向中心修调；

4)在多晶硅电阻上进行细调，细调具体为粗调结束后在多晶硅电阻上使用激光平行进行短点修调。

下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步详细描述。