[发明专利]一种双面基板的电通断测试方法

权利要求书

1.一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，包括以下过程，

步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层（5）不进行刻蚀，保留正面电镀种子层（5）；

步骤2，在保留正面电镀种子层（5）的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层（10）进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点（12）进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点（12）间电通断连接关系；

步骤3，刻蚀正面凸点（7）以外区域的正面电镀种子层（5），对双面基板的正面凸点（7）进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点（7）间电通断连接关系；

步骤4，结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。

2.根据权利要求1所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，步骤1中，在双面基板制备过程中首先完成盲孔、正面金属布线（3），正面凸点下金属层（6）和正面凸点（7）的制备后，再保留完整的电镀种子层（5）。

3.根据权利要求2所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，所述正面金属布线（3）在硅基片（1）的正面进行水平电连接排布，当正面金属布线（3）为多层时，各层正面金属布线（3）之间通过正面金属层间介质（4）进行电绝缘，各层正面金属布线（3）之间的电连接通过各层间的连接孔实现。

4.根据权利要求1所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，步骤2中，在背面凸点（12）进行第一次单面探针测试前，先将双面基板的正面和正面载片（14）临时键合在一起，并减薄双面基板的背面，使得盲孔形成导电通孔（2），再依次进行背面金属布线（8）和背面凸点（12），刻蚀电镀种子层（10），完成双面基板的背面工艺过程。

5.根据权利要求4所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，步骤3中，正面凸点（7）进行第二次单面探针测试前，将双面基板的背面和背面载片（16）临时键合在一起，并将正面载片（14）解键合，去除正面载片（14），暴露出双面基板的正面。

6.根据权利要求4所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，所述背面金属布线（8）在硅基片（1）的背面进行水平电连接排布，当背面金属布线（8）为多层时，各层背面金属布线（8）之间通过背面金属层间介质（9）进行电绝缘，各层背面金属布线（8）之间的电连接通过各层间的连接孔实现。

7.根据权利要求2所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，所述正面凸点下金属层（6）采用图形化电镀进行制备。

8.根据权利要求1所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，步骤2中，背面凸点（12）进行第一次单面探针测试时，所有正面凸点（7）是并联短路关系。

9.根据权利要求1所述的一种双面基板的电通断测试方法，其特征在于，所述双面基板为TSV硅转接基板、TGV玻璃转接基板或有机基板。