[发明专利]一种双面基板的电通断测试方法

说明书

本发明公开了一种双面基板的电通断测试方法，包括步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层不进行刻蚀，保留正面电镀种子层；步骤2，在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点间电通断连接关系；步骤3：刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层，对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点间电通断连接关系；步骤4：结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。解决硅转接基板晶圆的电通断测试问题，适于自动化量产测试。

技术领域

本发明属于先进电子封装技术领域，具体属于一种双面基板的电通断测试方法。

背景技术

多年来，包括陶瓷基板、有机基板在内的封装基板的技术发展速度远不及集成电路IC芯片，目前先进的集成电路IC芯片多采用微凸点阵列的外引脚形式，引脚数动辄上千，引脚密度增大，同时IC芯片的大尺寸、low-K介质层对平整度差、热失配明显的陶瓷基板、有机基板等传统封装基板是极大的挑战。TSV硅转接基板(Si Interposer)被引入作为先进的集成电路IC芯片和陶瓷基板、有机基板等传统封装基板间的桥梁。一个或多个IC芯片微组装在TSV硅转接基板上，利用TSV硅转接基板表面的低损耗、高密度金属布线完成多个IC芯片间的互连，降低整体外引脚数量和密度；利用TSV导电通孔在垂直方向上的电互连，实现TSV硅转接基板上IC芯片到陶瓷基板、有机基板等传统封装基板上的转接。TSV硅转接基板(Si Interposer)提供了一个优质的芯片集成平台：良好的热匹配，支持更高速信号互连，减少RCL寄生影响，降低功耗和ESD要求等等，起到信号导通、传热和机械支撑，机械应力缓冲作用，弥补了IC芯片和传统封装基板间的技术缺口。

通常，TSV硅转接基板的上下表面都分布有引脚焊盘或(微)凸点，它们通过TSV导电通孔实现在垂直方向上的电互连。受到TSV(Through-Silicon-Via)孔直径和深宽比的限制，以及对TSV孔电信号传输能力的考虑，TSV硅转接基板的厚度主要在200微米到50微米范围之内。由于硅材料脆而易碎，特别是对于厚度在100微米以下的大尺寸(8英寸、12英寸)TSV硅转接基板晶圆，翘曲大、受力能力弱，破片碎片风险高，难以采用传统的飞针探针台直接进行双面飞针测试。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种双面基板的电通断测试方法，解决超薄大尺寸硅转接基板晶圆的电通断测试问题，且与现有商用设备相兼容，适于自动化量产测试。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种双面基板的电通断测试方法，包括以下过程，

步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层不进行刻蚀，保留正面电镀种子层；

步骤2，在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点间电通断连接关系；

步骤3，刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层，对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点间电通断连接关系；

步骤4，结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。

优选的，步骤1中，在双面基板制备过程中首先完成盲孔、正面金属布线，正面凸点下金属层和正面凸点的制备后，再保留完整的电镀种子层。

进一步的，所述正面金属布线在硅基片的正面进行水平电连接排布，当正面金属布线为多层时，各层正面金属布线之间通过正面金属层间介质进行电绝缘，各层正面金属布线之间的电连接通过各层间的连接孔实现。