[发明专利]刻蚀控制方法

权利要求书

1.一种刻蚀控制方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：

主刻蚀步骤，向所述半导体工艺设备的工艺腔室内通入刻蚀气体，向所述工艺腔室内的下电极施加功率，将所述刻蚀气体激发为等离子体，以对待刻蚀件进行刻蚀，直至达到预定刻蚀深度；

过渡刻蚀步骤，在持续通入所述刻蚀气体的情况下调节下电极电源的相位，以降低所述刻蚀气体对所述待刻蚀件的刻蚀速率，直至达到预定刻蚀速率；

过刻蚀步骤，维持当前刻蚀速率继续对所述待刻蚀件进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述过渡刻蚀步骤包括：

保持施加在所述下电极上的功率不变，连续调节所述下电极电源的相位。

3.根据权利要求1所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述过渡刻蚀步骤包括交替执行的以下步骤，以使得所述过渡刻蚀结束后，所述刻蚀速率达到所述预定刻蚀速率：

保持施加在所述下电极上的功率不变，不断降低或升高所述下电极电源的相位，使所述刻蚀气体对所述待刻蚀件的刻蚀速率降低至当前功率下的最小刻蚀速率；

保持所述最小刻蚀速率不变，不断升高或降低所述下电极电源的相位，并降低施加在所述下电极上的功率，直至施加在所述下电极上的功率达到保持所述最小刻蚀速率的最小功率，其中，

每次降低或升高所述下电极电源的相位的步骤中获得的最小刻蚀速率都不小于所述预定刻蚀速率。

4.根据权利要求3所述的刻蚀控制方法，其特征在于，在所述不断降低或升高所述下电极电源的相位之前，所述方法还包括：

确定所有能够满足所述主刻蚀步骤中施加在所述下电极上的功率的相位值，形成相位集合[θj，θi]；

所述不断升高或降低所述下电极电源的相位，包括：将所述相位从θi连续调至θj。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述待刻蚀件包括本体和设置在所述本体一个表面上的金属层，

所述刻蚀控制方法中，沿所述本体的远离所述金属层的表面向靠近所述金属层的表面进行刻蚀。

6.根据权利要求5所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述预定刻蚀深度为刻蚀至所述本体的剩余厚度为1μm-2μm。

7.根据权利要求5所述的刻蚀控制方法，其特征在于，当所述刻蚀气体对所述本体的刻蚀速率达到所述预定刻蚀速率时，所述刻蚀气体对所述金属层和所述主体的选择比小于或等于0.3。

8.根据权利要求5所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述本体为布拉格反射镜，所述预定刻蚀速率的取值范围为50nm/min-120nm/min。

9.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤中，向所述下电极施加的功率的取值范围为300W-500W。

10.根据权利要求1-4任意一项所述的刻蚀控制方法，其特征在于，所述过刻蚀步骤中，向所述下电极施加的功率小于或等于50W。