[发明专利]刻蚀控制方法

说明书

本申请提供一种刻蚀控制方法，该刻蚀控制方法，包括：主刻蚀步骤，向半导体工艺设备的工艺腔室内通入刻蚀气体，向工艺腔室内的下电极施加功率，将刻蚀气体激发为等离子体，以对待刻蚀件进行刻蚀，直至达到预定刻蚀深度；过渡刻蚀步骤，在持续通入刻蚀气体的情况下调节下电极电源的相位，以降低刻蚀气体对待刻蚀件的刻蚀速率，直至达到预定刻蚀速率；过刻蚀步骤，维持当前刻蚀速率继续对待刻蚀件进行刻蚀。应用本申请，可以减少对底部金属层的损伤，防止金属溅射至侧壁。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种的刻蚀控制方法。

背景技术

在半导体光电器件制作过程中，为有效利用发光层正面发射的光，会对LED芯片进行倒装(衬底基板朝上)，使其出光面在蓝宝石一侧，且需要在电极所在的面制备一层反射镜面层。

现有技术中，通常采用Ni/Ag/Au复合金属做反射镜面层，但其吸光严重，且工艺复杂，在蓝光波段的反射率还低于90％，对光的反射效果不是很好。为了提高光的利用率，增强反射效果，人们研发设计了DBR(Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射镜)，DBR是由两种不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4，DBR可以改变材料的折射率或者厚度调整能隙位置，同时没有金属反射镜的吸收问题，反射率可达99％以上。但是，采用DBR得到的芯片，经常出现芯片电性能差的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种刻蚀控制方法，以减少对底部金属层的损伤，防止金属溅射至侧壁。

为实现本发明的目的，提供一种刻蚀控制方法，包括：

主刻蚀步骤，向所述半导体工艺设备的工艺腔室内通入刻蚀气体，向所述工艺腔室内的下电极施加功率，将所述刻蚀气体激发为等离子体，以对待刻蚀件进行刻蚀，直至达到预定刻蚀深度；

过渡刻蚀步骤，在持续通入所述刻蚀气体的情况下调节下电极电源的相位，以降低所述刻蚀气体对所述待刻蚀件的刻蚀速率，直至达到预定刻蚀速率；

过刻蚀步骤，维持当前刻蚀速率继续对所述待刻蚀件进行刻蚀。

可选地，所述过渡刻蚀步骤包括：

保持施加在所述下电极上的功率不变，连续调节所述下电极电源的相位。

可选地，所述过渡刻蚀步骤包括交替执行的以下步骤，以使得所述过渡刻蚀结束后，所述刻蚀速率达到所述预定刻蚀速率：

保持施加在所述下电极上的功率不变，不断降低或升高所述下电极电源的相位，使所述刻蚀气体对所述待刻蚀件的刻蚀速率降低至当前功率下的最小刻蚀速率；

保持所述最小刻蚀速率不变，不断升高或降低所述下电极电源的相位，并降低施加在所述下电极上的功率，直至施加在所述下电极上的功率达到保持所述最小刻蚀速率的最小功率，其中，

每次降低或升高所述下电极电源的相位的步骤中获得的最小刻蚀速率都不小于所述预定刻蚀速率。

可选地，在所述不断降低或升高所述下电极电源的相位之前，所述方法还包括：

确定所有能够满足所述主刻蚀步骤中施加在所述下电极上的功率的相位值，形成相位集合[θj，θi]；

所述不断升高或降低所述下电极电源的相位，包括：将所述相位从θi连续调至θj。

可选地，所述待刻蚀件包括本体和设置在所述本体一个表面上的金属层，

所述刻蚀控制方法中，沿所述本体的远离所述金属层的表面向靠近所述金属层的表面进行刻蚀。

可选地，所述预定刻蚀深度为刻蚀至所述本体的剩余厚度为1μm-2μm。