[发明专利]一种浅沟槽隔离的制备方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储器件的存储单元区域和外围区域；

采用第一刻蚀工艺对所述存储单元区域的衬底上部进行刻蚀，以形成第一浅沟槽，采用第一沉积工艺在所述第一浅沟槽中填充第一氧化硅，以形成第一浅沟槽隔离；以及

采用不同于所述第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺对所述外围区域的衬底上部进行刻蚀，以形成第二浅沟槽，采用不同于所述第一沉积工艺的第二沉积工艺在所述第二浅沟槽中填充第二氧化硅，以形成第二浅沟槽隔离；其中

所述第一浅沟槽的深度小于所述第二浅沟槽的深度，所述第一浅沟槽的特征尺寸小于所述第二浅沟槽的特征尺寸；

其中，所述第一沉积工艺采用全氢聚硅氮烷和蒸汽进行反应，在高温退火步骤后形成所述第一氧化硅；以及

所述第二沉积工艺采用硅烷和氧气进行反应以直接形成所述第二氧化硅。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二氧化硅的应力小于所述第一氧化硅的应力。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的高温退火步骤的工作温度范围为500-800摄氏度；以及

所述第二沉积工艺的反应温度范围为300-500摄氏度。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二沉积工艺为高密度等离子体工艺。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上表面沿所述衬底的高度方向还依次形成有栅极介电层、浮栅极层，所述形成第一浅沟槽的步骤进一步包括：

一并对所述栅极介电层和所述浮栅极层进行刻蚀，以形成各个存储单元的浮栅极结构。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺对所述浮栅极结构的侧表面以及所述第一浅沟槽的侧壁具有侧向钝化保护；以及

所述第二刻蚀工艺对所述第二浅沟槽的侧壁不具有侧向钝化保护。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺控制所述浮栅极结构以及所述第一浅沟槽的特征尺寸为20-30纳米。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺所形成的外围低压器件的第二浅沟槽的特征尺寸为所述第一浅沟槽的特征尺寸的十倍以上；和/或，

所述第二刻蚀工艺所形成的外围高压器件的第二浅沟槽的特征尺寸为所述第一浅沟槽的特征尺寸的四十倍以上。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在采用第一刻蚀工艺进行刻蚀前，所述制备方法还包括：

采用自对准双重成像工艺的掩膜层图案化步骤；其中

在所述第一刻蚀工艺中，采用由所述自对准双重成像工艺形成的图案化的掩膜层对所述栅极介电层、所述浮栅极层和所述存储单元区域的衬底上部进行刻蚀。

10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一沉积工艺还包括：

在各个存储单元的浮栅极结构之间形成第一氧化硅，且所形成的第一氧化硅还覆盖所述浮栅极结构；

所述第二刻蚀工艺进一步包括：

以所述第一氧化硅为所述存储单元区域的硬掩膜层对所述外围区域的衬底上部进行刻蚀。