[发明专利]晶体管阵列基板和包括其的电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

包括至少一个晶体管的面板；以及

驱动所述面板的驱动电路，

其中，所述面板包括：

基板；

设置在所述基板上的第一有源层，所述第一有源层包括第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及设置在所述第一区域与所述第二区域之间的沟道区域；

设置在所述第一有源层上的栅极绝缘膜；

所述至少一个晶体管的栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上并且与所述第一有源层的沟道区域的一部分交叠；

设置在所述栅电极上的层间绝缘膜；以及

所述至少一个晶体管的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述层间绝缘膜上并且彼此间隔开，

其中，所述栅电极与所述第一有源层的第一区域和第二区域中的至少一个区域的一部分交叠。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一有源层是氧化物半导体，

其中，所述第一有源层的第一区域和第二区域中的每个是导电区域，以及

其中，所述第一区域和所述第二区域中的每个的电阻低于所述沟道区域的电阻。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一区域连接至所述第一电极，并且所述第二区域连接至所述第二电极。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一区域的一部分与所述栅电极交叠，以及

其中，所述第二区域与所述栅电极不交叠。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第一区域连接至所述第一电极，

其中，所述第二区域连接至所述第二电极，以及

其中，所述第二电极电连接至所述电子装置的电源节点。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述栅极绝缘膜与所述第一有源层的所述第一区域的一部分、所述沟道区域的整体以及所述第二区域的整体交叠。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一有源层的所述沟道区域相对于所述栅电极的中心非对称地设置。

9.根据权利要求1所述的电子装置，还包括设置在所述栅电极与所述层间绝缘膜之间的绝缘膜，

其中，所述绝缘膜与所述第一有源层的第一区域或第二区域的表面的一部分接触，并且与所述栅极绝缘膜的与所述第一有源层的第一区域和第二区域交叠的顶表面的一部分接触。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述绝缘膜包含氢。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一有源层的沟道区域的一部分与所述栅电极交叠。

12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的一个区域设置在所述沟道区域和还包括与所述沟道区域间隔开的第三区域的所述第一有源层之间。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的每个的电阻低于所述第三区域和所述沟道区域中的每个的电阻。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第一区域连接至所述第一电极，并且所述第二区域连接至所述第二电极。

15.根据权利要求12所述的电子装置，其中，所述栅极绝缘膜与所述第一区域和所述第二区域中的所述一个区域的整体、所述沟道区域的整体和所述第三区域的整体交叠。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其中，所述第一区域和所述第二区域中的另一区域的一部分与所述栅极绝缘膜交叠。