[发明专利]承载盘及控温装置在审
申请号: | 202011381391.8 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN112530846A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 卢潇潇;黄敏涛;宋新丰;杨帅 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
1.一种承载盘,用于半导体设备,其特征在于,所述承载盘的中心位置设有安装孔(110),所述承载盘包括用于与所述半导体设备中反应腔接触密封的密封面,所述承载盘中还设置有环绕所述安装孔(110)设置的气道(150),所述承载盘背离所述密封面的一面设有进气口(171)和出气口(172),所述进气口(171)和所述出气口(172)均与所述气道(150)连通,根据预设条件,预设温度的控温气体可自所述进气口(171)被送入所述气道(150)内,且自所述出气口(172)被排出。
2.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于,所述承载盘的密封面上设置有密封槽(130),所述密封槽(130)环绕设置于所述安装孔(110)的外周,所述密封槽(130)内可用于安装密封圈,至少部分所述气道(150)与所述密封槽(130)对应。
3.根据权利要求2所述的承载盘,其特征在于,所述气道(150)的数量为多个,多个所述气道(150)中包括第一气道和第二气道,所述第一气道与所述密封槽(130)对应,所述第二气道设置于所述安装孔(110)与所述密封槽(130)之间。
4.根据权利要求3所述的承载盘,其特征在于,所述承载盘包括盘本体(100)和多个封装件(200),所述盘本体(100)背离所述密封面的表面设有两个沉槽,任一所述沉槽均包括两个相互间隔的槽壁(160),任一所述沉槽均盖设有所述封装件(200),所述封装件(200)与各所述槽壁(160)密封连接,形成所述第一气道和所述第二气道。
5.根据权利要求3所述的承载盘,其特征在于,所述安装孔(110)和所述第一气道之间,以及所述第一气道和所述第二气道之间均设有温度检测部(330)。
6.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于,所述气道(150)为螺旋结构。
7.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于,所述气道(150)包括多个环形段(151)和多个连接段(153),多个所述环形段(151)均环绕所述安装孔(110)设置,且多个所述环形段(151)沿所述承载盘的径向间隔分布,任意相邻的两个所述环形段(151)均通过所述连接段(153)连接,所述进气口(171)和所述出气口(172)中,一者与位于最内侧的所述环形段(151)连通,另一者与位于最外侧的所述环形段(151)连通。
8.根据权利要求7所述的承载盘,其特征在于,所述连接段(153)的延伸方向平行于所述承载盘的径向。
9.一种控温装置,其特征在于,包括第一进气管路、第二进气管路、出气管路和权利要求1-8任意一项所述的承载盘,所述第一进气管路和所述第二进气管路均与气源连接,且所述第一进气管路和所述第二进气管路均与所述进气口(171)连通,所述出气管路与所述出气口(172)连通,所述第一进气管路设有加热件。
10.根据权利要求9所述的控温装置,其特征在于,所述气道(150)的数量为多个,多个所述气道(150)中包括第一气道和第二气道,第一进气管路包括主管路、第一支路和第二支路,所述第一支路与所述第一气道连通,所述第二支路与所述第二气道连通,所述第一支路和所述第二支路均与所述主管路连通,所述第一支路和所述第二支路上均设有所述加热件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造