[发明专利]承载盘及控温装置

说明书

本发明公开一种承载盘及控温装置，所述承载盘的中心位置设有安装孔，所述承载盘包括用于与所述半导体设备中反应腔接触密封的密封面，所述承载盘中还设置有环绕所述安装孔设置的气道，所述承载盘背离所述密封面的一面设有进气口和出气口，所述进气口和所述出气口均与所述气道连通，根据预设条件，预设温度的控温气体可自所述进气口被送入所述气道内，且自所述出气口被排出。上述承载盘可以适应于晶圆的加工工艺，防止承载盘及安装于承载盘上的部件等被腐蚀，污染晶圆，保证工艺的正常进行。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种承载盘及控温装置。

背景技术

在晶圆的加工过程中，通常需要将承载有晶圆的承载盘自室温环境下移动至反应腔口进行热处理。在工艺开始之前，为了排空反应腔内杂质气体，通常会向反应腔内通入少量水蒸气和氯化氢气体。在晶圆进行热处理工艺的前期阶段，由于承载盘的温度较低，而反应腔的温度通常较高，一般在几百甚至上千摄氏度，从而造成水蒸气在接触到承载盘时发生凝结，同时，氯化氢气体会溶于水中，形成盐酸，而承载盘的材质通常为不锈钢，从而造成承载盘会被腐蚀，且生成氯化铁等杂质，污染晶圆，且缩短承载盘的使用寿命。而在晶圆进行热处理工艺的后期阶段，受反应腔内热量的影响，承载盘的温度会逐渐升高，从而容易造成安装在承载盘上的部件损坏，污染晶圆，影响工艺的正常进行。

发明内容

本发明公开一种承载盘及控温装置，以适应于晶圆的加工工艺，防止承载盘及安装于承载盘上的部件等被腐蚀，污染晶圆，保证工艺的正常进行。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明实施例公开一种承载盘，用于半导体设备，所述承载盘的中心位置设有安装孔，所述承载盘包括用于与所述半导体设备中反应腔接触密封的密封面，所述承载盘中还设置有环绕所述安装孔设置的气道，所述承载盘背离所述密封面的一面设有进气口和出气口，所述进气口和所述出气口均与所述气道连通，根据预设条件，预设温度的控温气体可自所述进气口被送入所述气道内，且自所述出气口被排出。

第二方面，本发明实施例公开一种控温装置，其包括第一进气管路、第二进气管路、出气管路和上述承载盘，所述第一进气管路和所述第二进气管路均与气源连接，且所述第一进气管路和所述第二进气管路均与所述进气口连通，所述出气管路与所述出气口连通，所述第一进气管路设有加热件。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开一种承载盘，其设有气道，气道连通进气口和出气口，根据预设条件，预设温度的控温气体能够自进气口被送入至气道内，且自出气口被排出。在晶圆的工艺前期阶段，由于承载盘的温度相对较低，通过自进气口持续向气道内通入温度较高的控温气体，温度较高的控温气体在气道内流动的过程中会将自身的热量释放至气道的内壁上，从而传递至整个承载盘，使承载盘的温度升高，防止因承载盘的温度较低，造成反应腔内的水蒸气在承载盘的表面凝结，进而防止氯化氢气体溶于承载盘表面的液态水中，保证承载盘不会被腐蚀，提升承载盘的使用寿命，且保证晶圆能够正常进行工艺过程。在晶圆的工艺后期阶段，由于承载盘的温度升高，通过向进气口持续通入常温甚至低温的控温气体，使得控温气体能够自气道的内壁吸收承载盘的热量，进而使承载盘的温度下降，防止安装在承载盘上的部件因长期处于高温环境下而损坏，进而防止晶圆被污染，保证晶圆的工艺过程正常进行。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的承载盘的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的承载盘的剖面示意图；

图3为图2中部分结构的放大图；

图4为本发明实施例公开的承载盘中气道的分布示意图；