[发明专利]包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202011383655.3 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN113035886A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 洪礼媛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 不同类型 薄膜晶体管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,包括:
用于显示图像的显示区域;和
不显示图像的非显示区域,
其中所述显示区域包括第一薄膜晶体管,并且
所述非显示区域包括第二薄膜晶体管,
其中所述第一薄膜晶体管包括:
基板上的第一栅极电极;
所述第一栅极电极上的第一有源层;和
第一源极电极和第一漏极电极,所述第一源极电极和所述第一漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第一有源层连接,并且
其中所述第二薄膜晶体管包括:
所述基板上的第二有源层;
所述第二有源层上的第二栅极电极;和
第二源极电极和第二漏极电极,所述第二源极电极和所述第二漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第二有源层连接,
其中所述第一有源层和所述第二有源层包括氧化物半导体材料,
所述第一栅极电极设置在所述基板与所述第一有源层之间,并且
所述第二有源层设置在所述基板与所述第二栅极电极之间。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一有源层和所述第二有源层设置在同一层。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极设置在同一层。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极的任意一个与下部配线接触,所述下部配线与所述第一栅极电极设置在同一层。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中所述第二源极电极和所述第二漏极电极的另一个与上部配线接触,所述上部配线与所述第二栅极电极设置在同一层。
6.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
所述第一有源层与所述第一栅极电极之间的第一栅极绝缘膜;和
所述第二有源层与所述第二栅极电极之间、所述第二有源层与所述第二源极电极之间以及所述第二有源层与所述第二漏极电极之间的第二栅极绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中所述第二栅极绝缘膜不设置在所述第二源极电极与所述第二栅极电极之间以及所述第二漏极电极与所述第二栅极电极之间的所述第二有源层上。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一有源层和所述第二有源层中至少之一包括:
第一氧化物半导体层;和
所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层。
9.一种制造显示设备的方法,包括:
在基板上设置第一栅极电极;
设置第一有源层,所述第一有源层与所述第一栅极电极间隔开并且与所述第一栅极电极的至少一部分重叠;
在所述基板上设置第二有源层,其中所述第二有源层与所述第一有源层间隔开;
设置第一源极电极和第一漏极电极,所述第一源极电极和所述第一漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第一有源层连接;
设置第二栅极电极,所述第二栅极电极与所述第二有源层间隔开并且与所述第二有源层的至少一部分重叠;
设置第二源极电极和第二漏极电极,所述第二源极电极和所述第二漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第二有源层连接;和
给所述第二有源层选择性地提供导电性,
其中所述第一源极电极、所述第一漏极电极、所述第二栅极电极、所述第二源极电极和所述第二漏极电极同时制造。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一有源层和所述第二有源层由氧化物半导体材料形成。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一有源层和所述第二有源层中至少之一包括:
第一氧化物半导体层;和
所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层。
12.根据权利要求9所述的方法,其中同时执行设置所述第一有源层和设置所述第二有源层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的