[发明专利]包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及其制造方法在审
申请号: | 202011383655.3 | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN113035886A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 洪礼媛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 不同类型 薄膜晶体管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
公开了一种能够实现高分辨率和较小功耗的包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法,其中显示设备包括设置在显示区域中的底栅型薄膜晶体管和设置在非显示区域中的顶栅型薄膜晶体管。在根据本公开内容的显示设备中,在显示区域中设置占据较小尺寸区域的底栅型薄膜晶体管,使得可实现高分辨率,并且在非显示区域中设置能够实现较小功耗的顶栅型薄膜晶体管,使得可降低功耗。
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月24日提交的韩国专利申请第10-2019-0174008号的权益,通过引用将该专利申请整体并入于此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及一种包括不同类型薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法。更详细地,本公开内容涉及一种包括底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管的显示设备及制造该显示设备的方法。
背景技术
可在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管,由此薄膜晶体管被广泛用作诸如液晶显示设备或有机发光显示设备之类的显示设备中的开关器件或驱动器件。
根据用于有源层的材料,薄膜晶体管可大致分为具有非晶硅的有源层的非晶硅薄膜晶体管、具有多晶硅的有源层的多晶硅薄膜晶体管、以及具有氧化物半导体的有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
具有较高迁移率并且根据氧含量而具有较大电阻变化的氧化物半导体薄膜晶体管(氧化物半导体TFT)的优点在于,有利于获得理想的特性。此外,在制造氧化物半导体薄膜晶体管的工序中在相对较低的温度下形成氧化物的有源层,由此可降低制造成本。此外,由于氧化物的特性,氧化物半导体是透明的,由此有利于实现透明显示设备。
显示设备包括用于显示图像的显示区域、和不显示图像的非显示区域。显示区域的作用与非显示区域的作用不同,由此设置在显示区域中的薄膜晶体管的作用与设置在非显示区域中的薄膜晶体管的作用不同。
发明内容
鉴于上述问题进行了本公开内容,本公开内容的一个目的是提供一种其中在显示区域和非显示区域中分别设置具有不同驱动特性的薄膜晶体管以提高效率的显示设备。
本公开内容的另一个目的是提供一种其中在显示区域和非显示区域中分别设置底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管以提高效率的显示设备。
本公开内容的再一个目的是提供一种显示设备,在该显示设备中,在显示区域中设置占据较小尺寸区域的底栅型薄膜晶体管以实现高分辨率,并且在消耗大量功率的非显示区域中设置能够防止发生寄生电容并且能实现较小功耗的顶栅型薄膜晶体管。
根据本公开内容的一个方面,可通过提供一种显示设备实现上述目的和其他目的,所述显示设备包括:用于显示图像的显示区域;和不显示图像的非显示区域,其中所述显示区域包括第一薄膜晶体管,并且所述非显示区域包括第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管包括:基板上的第一栅极电极;所述第一栅极电极上的第一有源层;和第一源极电极和第一漏极电极,所述第一源极电极和所述第一漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第一有源层连接,并且其中所述第二薄膜晶体管包括:所述基板上的第二有源层;所述第二有源层上的第二栅极电极;和第二源极电极和第二漏极电极,所述第二源极电极和所述第二漏极电极彼此间隔开并且分别与所述第二有源层连接,其中所述第一有源层和所述第二有源层包括氧化物半导体材料,所述第一栅极电极设置在所述基板与所述第一有源层之间,并且所述第二有源层设置在所述基板与所述第二栅极电极之间。
所述第一有源层和所述第二有源层设置在同一层。
所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极设置在同一层。
所述第二源极电极和所述第二漏极电极的任意一个与下部配线接触,所述下部配线与所述第一栅极电极设置在同一层。
所述第二源极电极和所述第二漏极电极的另一个与上部配线接触,所述上部配线与所述第二栅极电极设置在同一层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的